Более точные вычисления - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Жизнь похожа на собачью упряжку. Если вы не вожак, картина никогда не меняется. Законы Мерфи (еще...)

Более точные вычисления

Cтраница 1


Более точные вычисления получают, если вместо концентрации ионов использовать их активные концентрации.  [1]

Более точные вычисления, учитывающие отличие скоростей отдельных электронов от их средней скорости, приводят лишь к незначительному изменению числового множителя в формуле (45.6): R Зтг / ( 8сеп), если применять к электронам классическую статистику.  [2]

Более точные вычисления основаны на применении уравнения, связывающего стандартные потенциалы с константой равновесия реакции окисления - восстановления.  [3]

Более точные вычисления, учитывающие отличие скоростей отдельных электронов от их средней скорости, приводят лишь к незначительному изменению числового множителя в формуле (45.6): R Зл / ( Seen), если применять к электронам классическую статистику.  [4]

Более точные вычисления, в которых учитывается поляризация ионов, а в выражении для потенциала отталкивания, взятого в форме b / Rn, для различных пар ионов выбираются различные значения параметра п, в данном случае нецелесообразны.  [5]

Более точные вычисления частотных характеристик как неаподизованного, так и аподиэоваН Наго секционированного преобразователя при учете частотной зависимости излучения ( акустической функции) электродов и их взаимодействия ведутся в следующей последовательности.  [6]

При этом более точные вычисления [72] с учетом эффектов межмолекулярного электронного взаимодействия и молекулярных колебаний приводят к близким результатам. Ширина зоны проводимости и валентной зоны составляет 0 02 эв или меньше, в хорошем согласии с ранее полученными значениями.  [7]

8 Шкалы корпуса логарифмической линейки. A, BI, D, L. [8]

Чтобы получить более точные вычисления на логарифмической линейке, необходимо знать, как правильно установить и прочесть число вне пометки на шкалах.  [9]

Для МДП-структур более точные вычисления емкости слоя объемного заряда с учетом влияния основных носителей заряда приводят к результатам, которые справедливы вплоть до границы раздела полупроводник - диэлектрик и включают случай плоских зон.  [10]

В то же время можно ожидать, что новые, более точные вычисления, которые будут сделаны в результате усовершенствования расчетной техники, не произведут существенных изменений в понятиях, теоретическое обоснование которых сделано сравнительно грубыми методами, имеющимися сейчас в нашем распоряжении. Весьма вероятно, что в тех областях, где мы сейчас имеем сведения, полученные на основании эмпирических данных, или даже не имеем таковых, будет добыто много количественных данных.  [11]

Обращаясь к определению отношения максимума кривой Рос-си к ее хвосту, мы ограничимся здесь приближенной оценкой, оставляя более точные вычисления для другого сообщения.  [12]

Таким образом, следует быть осторожным, делая выводы из кван-товомеханических расчетов, проведенных в нулевом приближении, так как более точные вычисления могут дать существенно отличающийся и даже обратный результат.  [13]

Небольшим изменением объема из-за прибавления к литру раствора жО 75 мл 39 % - ной НС1 можно пренебречь, так как более точные вычисления приведут к тому же результату, благодаря свойствам буферных смесей удерживать постоянство рН при разбавлении этих растворов.  [14]

Небольшим изменением объема, вследствие прибавления к литру раствора s; 0 75 мл 39-процентной НС1, можно пренебречь, так как более точные вычисления приведут к тому же результату, благодаря свойствам буферных смесей удерживать постоянство рН при разбавлении этих растворов.  [15]



Страницы:      1    2    3