Cтраница 3
Есть также указания на активное гидрирование тантала атомарным водородом. Эндрьюс [366] изучила влияние атомарного водорода и обнаружила, что при низком давлении ( около 60 мм) и температуре 400 - 800 атомарный водород легко поглощается даже в количествах, превышающих равновесное значение, достигаемое в обычных условиях, в то время как молекулярный водород не поглощается совсем. По данным Питча [92], танталовая жесть также становится хрупкой при сравнительно низких температурах ( порядка 150) в условиях электроразряда. Черные матовые крупинки гидрида, реагируя с водой, дают ионы тантала и, по данным рентгеновского исследования, обладают кубической объемноцентрированной решеткой с а 3 42 - 3 44 А ( для тантала а 3 338 А), что позволяет авторам высказать предположение об образовании гид-ридной фазы переменного состава. [31]
В целях анализа - явления, происходящие во время роста оксидного слоя, могут быть разделены и рассмотрены как 4 специфических процесса: 1) образование ионов тантала на границе металл-оксидный слой, 2) одновременная адсорбция эквивалентного числа ионов кислорода на границе оксидный слой-электролит, 3) перемещение ионов тантала в оксидный слой и через него и 4) реакция между ионами тантала, достигшими внешней поверхности оксидного слоя, и адсорбированными ионами кислорода. Процессы 1, 2 и 4, связанные с движением электронов, протекают чрезвычайно быстро, процесс 3 требует значительного времени, так как он связан с перемещением ионов в твердом теле. Вследствие этого в растущем оксидном слое возникает избыток танталовых ионов вблизи танталового анода, убывающий по направлению к кислородному катоду. Наличие такого распределения ионов тантала, характеризующееся тем, что в каждый данный момент существует некоторое количество перемещающихся ионов тантала и эквивалентное количество дожидающихся их на границе оксидный слой-электролит ионов кислорода, рассматривается как электродвижущая сила электролитической поляризации, компенсирующая приложенное извне напряжение, и одновременно как ионный объемный заряд в оксидном слое. [32]