Габитус - кристалл
Cтраница 1
Габитус кристаллов - от призматических удлиненных до игольчатых; ttg колеблется от 1 628 до 1 75; цвет от светло-зеленого до зелено-черного и черного; спайность совершенная по ( 110) под углом 124; плеохроизм по Ng - желто-зеленый, по Nm - - бледно-зеленый, по Np - зеленовато-желтый. В кислотах растворяется после предварительного прокаливания. Роговые обманки типичны для интрузивных изверженных пород, но встречаются также в метаморфических породах; содержатся в почвах. [1]
Габитус кристаллов - тонкие волокна, цвет - темно-зеленый и буровато-зеленый, желтоватый, желто-зеленый, блеск стеклянный, жирный; ng 1 545 - 1 561, пр 1 532 - 1 552, по другим данным пг 1 511 - 1 571, nm 1 502 - 1 570, пр 1 490 - 1 560; обычно оптически отрицателен, 2 V - колеблется в широких пределах. [2]
Габитус кристаллов - короткие призмы, оканчивающиеся ромбоэдрами ( удлинение по оси с), или неправильной формы зерна, часто встречаются двойники; одноосный, положительный; п0 1 544, пе 1 553; показатели светопреломления исключительно постоянны как у природных, так и искусственных кристаллов; спайность отсутствует. [3]
Габитус кристаллов призматический и дипнрамидальный, встречаются неправильные образования и зерна. Распространение простых форм 101 и 100 зависит от химического состава среды кристаллизации и скорости охлаждения, которая определяет степень пересыщения. Химический состав раствора-расплава определяет крпсталлохпмнческие факторы роста: наличие определенных структурных форм и примесей, контролирующих скорость роста отдельных граней кристалла. [4]
Габитус кристаллов призматический и дипирамидальный, встречаются неправильные образования и зерна. Распространение простых форм 101 и 100 зависит от химического состава среды кристаллизации и скорости охлаждения, которая определяет степень пересыщения. Химический состав раствора-расплава определяет крнсталлохпмнческие факторы роста: наличие определенных структурных форм и примесей, контролирующих скорость роста отдельных граней кристалла. [5]
На габитус кристалла влияет также кинетика роста кристалла и другие неравновесные эффекты. Поэтому грани реальных кристаллов могут и не соответствовать равновесным формам, определяемым теоремой Вульфа. Например, если стабильная или сингулярная плоскость ( 100) шлифуется, скажем, под небольшим углом, то образуются плоскости, номинально описываемые индексом ( х), где х - большое число. [6]
 |
Рубин из раствора в расплаве и природный рубин ( непригодный для. [7] |
Видно сходство габитуса кристаллов. [8]
Триклинная сингония; габитус кристаллов - сложные полисинтетические двойники; % пт1 514, п 1 509; ( -) 2 V12 - 15; плотность 2 51 г / см3; образуется из а-формы при 687 С. [9]
В действительности же габитус кристалла определяется не величиной поверхностного натяжения, а величиной поверхностной энергии, последняя же зависит не только от о, но и от степени шероховатости. [10]
На размеры и габитус кристаллов сильно влияют температура, находящиеся в растворе примеси и условия перемешивания системы. Интенсивное перемешивание способствует образованию кристаллов более правильной формы, но уменьшает их размеры, так как в большей мере ускоряет образование зародышей, чем рост кристаллов. Появлению мелких кристаллов при перемешивании способствует также их истирание и раскалывание. [11]
Хотя преднамеренное изменение габитуса кристаллов используется часто, но пока еще нет общего принципа, по которому можно было бы выбирать необходимые примеси. Обратный процесс, когда необходимо удалить какую-либо примесь, чтобы получить нужную форму кристалла, также используется довольно часто. [12]
Органические красители часто изменяют габитус кристаллов, и иногда сообщается, что они окрашивают грани, скорость роста которых уменьшается. Это свидетельствует в пользу того, что причиной уменьшения скорости роста является адсорбция примеси. [13]
Как было показано [4], габитус кристаллов, выращенных из раствора в таком парафиновом растворителе, как н-октадекан, отличается от габитуса кристаллов, выращенных из раствора в ксилоле. Первые получаются не только более сильно усеченными при всех температурах кристаллизации, так что развиваются с образованием дендритных форм в основном в направлении оси Ь, но и обнаруживают различные пирамидальные и крышевидные габитусы. Эти габитусы показывают, что относительный ступенчатый сдвиг складок в пределах данной плоскости складывания у кристаллов, выращенных из парафиновых растворителей, удваивается. Секторы, ограниченные гранями роста 100 и плоскостями складывания 101 или 201, в случае усеченных кристаллов имеют большое значение, причем их значимость растет с увеличением усеченности. [14]
При всех указанных превращениях сохраняется волокнистый габитус кристаллов. [15]
Страницы: 1 2 3 4