Габитус - кристалл
Cтраница 2
 |
Данные о сокристаллизации при изотермическом испарении водных растворов солей. [16] |
Условие Кэ const равносильно требованию неизменного габитуса кристаллов, равномерного распределения и квазиравновесного состояния примеси в материнской фазе. При неравномерном распределении эффективный коэффициент захвата зависит от объема раствора или сжатого пара и меняется в ходе сокристаллизации. [17]
 |
Виды деформации при мартеяеитяшм превращении ( по Билби и. [18] |
Естественно, что боковая поверхность габитуса кристалла новой фазы на рис. 126, г является инвариантной только в макромасштабе: из-за развития скольжения на ней образовались микроскопические ступеньки. [19]
Апатит-единственный обычный породообразующий минерал группы: габитус кристаллов коротко призматический с базальным или пирамидальным окончанием. [20]
Известна зависимость между температурой процесса и габитусом кристаллов, который изменяется в пределах непрерывного геометрического ряда куб - октаэдр с увеличением этого параметра. [22]
При этом было установлено различие в габитусе кристаллов P-SiC и Si3N4, что не удавалось установить при помощи поляризационного микроскопа. P-SiC представлен в виде кубиков, a - Si3N4 имеет волокнистое строение, а p - Si3N4 встречается в виде удлиненных призм. [23]
При этом было установлено различие в габитусе кристаллов P-SiC и Si3N4, что не удавалось установить при помощи поляризационного микроскопа. P-SiC представлен в виде кубиков, a - SisN4 имеет волокнистое строение, а p - Si3N4 встречается в виде удлиненных призм. [24]
Муллит относится к ромбической кристаллической системе, габитус кристаллов призматический, игольчатый, волокнистый. [25]
 |
Схема модели периодического кристаллизатора. [26] |
Изучено влияние добавок ПАВ на качество и габитус кристаллов, полученных в периодическом процессе кристаллизации. [27]
В литературе имеются многочисленные ссылки на изменение габитуса кристаллов примесями. [28]
Эта теория, которая необходима для объяснения полиэдрического габитуса кристалла, подразумевает также, что если габитус полиэдрический и пересыщение мало ( в большинстве систем пересыщение в несколько процентов считается малым), то совершенный кристалл расти не может. Однако кристалл, содержащий винтовую дислокацию, коренным образом отличен от кристалла, имеющего топологию совершенной решетки в том отношении, что он не состоит из множества слоев, а представляет единственный самоперекрывающийся слой и потому не требует образования нового слоя. [29]
Описан [7] способ получения синтетического муллита с игольчатым габитусом кристаллов, что позволило использовать этот материал в качестве подложек. [30]
Страницы: 1 2 3 4