Габитус - кристалл
Cтраница 3
Анализ процесса при изменяющихся ионной силе раствора, габитусе кристаллов и других факторах состояния не проводился так как он сложен. [31]
Как известно, размеры и форма граней, определяющих равновесный габитус кристаллов, связаны с поверхностной энергией этих граней. Различие габитусов каталитически активных частиц в никелевых и медноникелевых катализаторах объясняется разной степенью близости параметров гексагональных решеток Ni и Ni - Си сплавов к параметру решетки графита. Связь углерода с частицей медноникелевого сплава по грани ( 111) более прочна, следовательно, поверхностная энергия меньше, чем для случая никелевой частицы, и размер грани ( 111) увеличивается. [32]
Наряду с пористостью на прочность цементного камня оказывает большое влияние габитус кристаллов. [33]
 |
Формы сростков кристаллов циркона. Ув. 5. [34] |
Примеси, введенные в расплав, также активно влияют на габитус кристаллов циркона. Например, добавка 1 % меди в виде СиО способствует кристаллизации циркона в виде идеально ограненных короткопризматических кристаллов. Механизм действия примеси может быть объяснен наличием на растущих гранях адсорбционного слоя, который нивелирует анизотропию скоростей роста разных габитусных граней, что приводит к наблюдаемой огранке кристаллов. [35]
Благодаря этому возникает псевдотетрагональная симметрия, что отражается на образовании пластинчатого габитуса кристаллов. [36]
Для некоторых веществ температура кристаллизации может оказывать влияние также и на габитус кристаллов. При высоких температурах чаще встречаются игольчатые и другие неравномерно развитые формы. На рис. 50 изображены кристаллы MgSO4 - 6H2O, полученные при различных температурах. [38]
К свойствам, четко проявляющим анизотропию, относятся в первую очередь габитус кристалла, его спайность, оптическая и магнитная характеристики. [39]
Важным фактором, влияющим на скорость кристаллизации, на размеры и габитус кристаллов, является перемешивание системы ( см. гл. Перемешивание выравнивает концентрацию раствора у разных граней кристалла, что способствует приобретению ими боле правильной формы. Уменьшается и доля агрегированных ( сращенных) кристаллов в общей массе. При повышении до некоторого предела интенсивности размешивания скорость кристаллизации увеличивается, а размеры получаемых кристаллов уменьшаются. По-видимому, это связано с интенсификацией образования зародышей за счет инерционного перемещения неустойчивых суб-микрокристаллов из участков маточного раствора, где, вследствие их образования, пересыщение уменьшилось, а температура повысилась, к свежим участкам, где имеются лучшие условия для быстрого их роста и превращения в устойчивые зародыши. [40]
Таким образом, важнейшее следствие из экспериментально обнаруженного факта инвариантности плоскости габитуса мартенсит-ного кристалла состоит в том, что его образование должно заключаться не только в изменении типа кристаллической решетки, но и в одновременной пластической деформации, возникающей вследствие скольжения или двоиникования. Такая дополнительная деформация, являющаяся неотъемлемой частью механизма мартенситно-го превращения, обеспечивает минимум энергии упругих искажений на инвариантной поверхности раздела фаз. [41]
 |
Результаты определения коэффициентов сокристаллизации. [42] |
Если определить коэффициенты распределения в обычных условиях в присутствии модификатора, изменяющего габитус кристаллов и молекулярную структуру их граней, то можно ожидать, что эти коэффициенты совпадут при условии равновесия между твердой и материнской фазами. Это связано с тем, что изменение молекулярной структуры граней влияет лишь на состояние примеси в приповерхностной зоне кристаллов, но не в объеме твердой фазы. [43]
 |
Зависимость коэффициента распределения примесей между кристаллами и расплавом германия ( а и кремния ( б от стандартной энтальпии Д / / 298 сублимации примеси. [44] |
Иногда при изучении захвата выясняли, связан ли коэффициент распределения с габитусом кристаллов и со скоростью их роста. [45]
Страницы: 1 2 3 4