Примесный ион

Cтраница 1

Примесный ион, введенный в кристаллическую матрицу, обладает характерной только для него системой дискретных ( штарковских) энергетических уровней, являющейся своеобразным мостом, который обеспечивает физическую связь протекающих в активированной среде разнообразных квантовых процессов с полем излучения. В основе этой связи лежат энергетические переходы между отдельными уровнями активатора, которые и обусловливают поглощение или излучение средой электромагнитной энергии. В своей знаменитой работе Эйнштейн [1] с термодинамических позиций постулировал существование следующих элементарных процессов в квантовой системе с дискретным спектром состояний: спонтанное излучение, индуцированное или стимулированное поглощение и излучение. Последние два процесса возможны только при наличии падающего на вещество электромагнитного излучения. [1]

Проекция на плоскость. [2]

Примесные ионы, которые участвуют в образовании, перемещении или диссоциации вышеописанных пар, будут влиять на частоты скачков внедренных атомов. Следовательно, набор частот прыжков внедренных атомов будет определяться таким образом, чтобы отразить это обстоятельство. [3]

Зависимость дифракционной эффективности от - времени экспозиции при записи голограмм в LiNbO3 с различными примесями. нижняя кривая для неактивированного кристалла.| Спектры поглощения LiNbO3. / - восстановленного с примесью Fe. 2 - окисленного с примесью Fe. 3 - неактивированного. [4]

Примесные ионы должны обладать переменной валентностью, в этом случае они одновременно смогут действовать как доноры и акцепторы электронов ( в зависимости от валентного состояния), что является необходимым условием для возникновения фотопреломления. [5]

Комплекс двухвалентный примесный ион - вакансия имеет в решетке NaCl двенадцать возможных ориентации. При отсутствии внешнего поля эти ориентации, а также все возможные варианты перескока иона примеси равновероятны. [6]

Присутствие примесных ионов в селене и сравнительно большая подвижность их приводят к структурным изменениям при прохождении электрического тока, при создании добавочного числа ионов светом или сильным полем. Такие изменения рассасываются медленно. [7]

Телескопическая система, состоящая и. двух цилиндрических иммерсионных электростатических линз. /, 2-электроды, составляющие первую по ходу пучка цилиндрическую линзу, 2, 3 - вторую. кривые со стрелками-проекции траекторий заряженных частиц на плоскости yz и ху. АВ-линейный фокус.| Отклонение пучка заряженных частиц магнитной призмой. а-вид спереди. б-вид сверху. / - полюсы магнита призмы. 2-пучок заряженных частиц. АВ-линейный фокус. [8]

Для примесных ионов в обычных металлах, как правило, Zei Zi, т.е. действие Э.в. значительно превосходит прямое действие электрич. [9]

Для примесных ионов, использующихся в лазерных кристаллах, эта величина лежит в продолах 10 - 2 - 10 см-1. Уширение, связанное с дефектностью кристалла, получило название неоднородного уширения. Как правило, ширина таких линий отличается слабой температурной зависимостью. Форма их удовлетворительно описывается гауссовым контуром. Последнее является отражением того факта, что отклонение частот отдельных линий от среднего значения является случайным и определяется случайным характером искажения внутрикристаллического поля. Результаты экспериментального исследования температурного поведения контура спектральных линий активаторных ионов, использующихся в простых лазерных кристаллах, показывают, что при - 150 К и более высоких температурах вкладом неоднородного уширения можно пренебречь и считать форму линий лорен-цевой. [10]

Спектры люминесценции ( Ft, - 4At / ПРИ 00 лического расщепления мультиплетов Ftli и f /. [11]

Взаимодействие примесных ионов с колебаниями кристаллической решетки проявляется, например, в температурном смещении спектральных линий и их уширении, в изменении вероятностей безызлучательных переходов и в появлении в оптических спектрах электронно-колебательных спутников. [12]

Внедрение примесных ионов одновременно в катионную и анионную подрешетку структуры C3S в наибольшей степени способствует образованию различных типов дефектов, что, очевидно, может служить предпосылкой для разработки и рекомендации составов комплексных добавок. [13]

Так как примесные ионы ( в особенности отрицательные) нельзя рассматривать как точечные, то в некоторых случаях создаваемое ими поле более близко к локализованному возмущению, чем к куло-новскому потенциалу. В этом случае формула (2.2) неприменима и, как правило, появляются более глубокие примесные уровни. [14]

Распределение ионов фосфора ( а и бора ( б при ионной имплантации. [15]

Страницы: 1 2 3 4