Примесный ион

Cтраница 3

Тильманс предполагал, что действие примесных ионов сводится к увеличению скорости ориентации зародышей, что по идее должно приводить к образованию более упорядоченных структур. Важно подчеркнуть, что под действием электрических полей ионов имелось в виду влияние силовых полей в адсорбционном слое на границе раздела фаз. [31]

С ростом напряжения объемный заряд примесных ионов растет, но одновременно растет и заряд неосновных носителей, притягиваемых к поверхности. Протяженность инверсионного слоя обычно составляет всего 10 - 20 А. [32]

Хе - Далее, так как примесный ион с зарядом Z вытесняет Z ионов водорода, то с точки зрения минимума химического потенциала кажется выгодным скопление многозарядных ионов в центре разряда, так как при этом сможет произойти радиальное расширение водородной компоненты. Такой эффект действительно предсказывается классической теорией, хотя имеет место и обратный эффект расталкивания примесных ионов за счет термодиффузии, пропорциональной градиенту температуры. [33]

С ростом обратного напряжения объемный заряд примесных ионов растет, а заряд основных носителей продолжает уменьшаться, но одновременно растет заряд неосновных носителей, притягиваемых к поверхности. [34]

Если учитывать также экранирование кулоновского поля примесного иона свободными носителями заряда, то обрезание потенциала осуществляется его умножением на ехр ( - гД), где А, - длина экранирования. [35]

В обоих случаях нужно сопоставлять радиус примесного иона с радиусом замещенного иона матрицы. [36]

Моттом и его последователями исследовано взаимодействие одиночного примесного иона с матрицей ионного кристалла. [37]

Расположение примесного иона ( 7 и соседних с ним одноименно заряженных ионов Na ( 2 в решетке NaCl. [38]

Легко показать, что в случае двухвалентного примесного иона в решетке NaCl эффекты 1 и 2 компенсируют друг друга таким образом, что эффективный заряд комплекса [ Ca2 Na ] оказывается равным нулю. [39]

На межатомных расстояниях потенциал, создаваемый примесным ионом, существенно отличается от потенциала точечного заряда и зависит от хим. природы примеси. Эта короткодействующая часть примесного потенциала создает дополнительное по отношению к ф-ле ( 8) смещение примесного уровня, называемое хим. сдвигом. Благодаря хим. сдвигу примесные уровни разных примесей отличаются друг от друга. [40]

Если свободные электроны находятся сравнительно близко от примесных ионов, то микрообъем полупроводника в целом остается электрически нейтральным. [41]

Если в электропроводности тела одновременно участвует ] примесных ионов с энергией диссоциации s и подвижностью U и п ионов основной решетки, энергия диссоциации которых е, а подвижность U, выражение для пит усложняется. [42]

Энергетические уровни двухвалентных доноров. [43]

Из этого рассмотрения видно, что зарядность многовалентного примесного иона зависит только от относительного расположения уровня Ферми и примесных уровней. Последние заданы природой кристалла и примеси, а положение уровня Ферми можно менять в широких пределах, варьируя, как мы видели в предыдущих параграфах, температуру кристалла и концентрацию мелких примесей. Поэтому проблему многозарядных центров имеет смысл рассматривать только в конкретной ситуации присутствия посторонней мелкой примеси. [44]

Количество присутствующих вакансий должно быть равно концентрации двухвалентных примесных ионов и частота перемещения Na является произведением концентрации атомных вакансий и частоты перемещения вакансий, которое находится из измерений проводимости. [45]

Страницы: 1 2 3 4