Примесный ион
Cтраница 2
Характер распределения примесных ионов в значительной степени зависит от присутствия каналированных пучков. Обычно на большой глубине от поверхности полупроводника возникает второй максимум, оказывающий нежелательное влияние на свойства формируемого профиля. Исключение или ослабление эффекта ка-налирования достигается путем соответствующей разориентации подложки или выбором необходимого угла падения пучка относительно главных кристаллографических направлений. [16]
При вводе примесных ионов в кристаллы сегнетоэлектриков, в зависимости от характера замещения ионов основания, возможно появление значительной концентрации компенсирующих дефектов в случае более высокой валентности замещающих ионов. Эти дефекты, например кислородные вакансии, могут принимать участие в процессах захвата электронов. [17]
В этой матрице примесный ион Nd3 замещает редкоземельный ион Gd3, который имеет аналогичный ионный радиус. [18]
Внедряющиеся в полупроводник примесные ионы занимают места как в узлах, так и в междоузлиях кристаллической решетки. В первом случае они создают свободные носители заряда и, следовательно, определяют электропроводность легированного слоя. Ионы, находящиеся в междоузлиях, являются электрически неактивными. [19]
Неоднородно уширены линии примесных ионов в неоднородных кристаллах и аморфных твердых телах. Значительное однородное уширение ( 6ш - 10 - Ю с 1) испытывают молекулярные линии в жидкостях и растворах. Форма контура зависит от распределения поля в области взаимодействия. [20]
Когда расстояние между примесными ионами становится меньше, чем длина волны электрона, мы должны рассматривать взаимодействие электронов с примесной решеткой, а не с отдельными примесными ионами. [21]
Когда расстояние между примесными ионами становится меньше, чем длина волны электрона, мы должны рассматривать взаимодействие электронов с примесной решеткой, а не с отдельными примесными ионами. [22]
Тот факт, что примесные ионы часто не дают собственных максимумов, а только облегчают переходы ионов основного вещества, уже отмечался в литературе, причем авторы [165] считают, что миграция вакансий может осуществляться не только в первой координационной сфере примесного иона, но и за ее пределами. [23]
Шотки; П - примесный ион замещения: Ц - дефекто-примесный центр. [24]
Однако если силикагель содержит примесные ионы переходных металлов ( кои енграккя 1 - 2 вее. Порядок реакций э интервале давлений 085 - 3 тор равен единице. [25]
Соединения с большой концентрацией примесных ионов: окисгше твердые растворы типа МО - М 0 in МОа-Мг03, где М - Zr, Ш, Ge; M - Ca, Sr, Ba; М - S, Y, лантаноиды ( носители заряда ионы кисло-рода О -); глиноземы, напр. NaaO - 11A1203 ( Р - глинонем, мигрирует Na по плоскостям, лежащим между блоками А1203) и др. И. [27]
Наличие двух подвижных компонент примесных ионов в значительной мере определяется влиянием на дрейф структуры окисла. В работе [630] подробно изучено также влияние кристаллической структуры на дрейф различных примесных ионов, в особенности натрия. Оказалось, что различные примеси, вводимые в окисел в процессе его роста, в той или иной степени влияют на его структуру. Так, примеси, разрывающие связь в цепочке тетраэдров SiO4, увеличивают возможность для смещений тетраэдров в окисле и таким образом облегчают микрокристаллизацию. Роль обрывателей цепочки охотно выполняют протоны Н, Na, а также замещающие атом кремния трехвалентные элементы, например бор. [28]
Плотность дефектов, образованных примесными ионами, максимальна в кристаллических решетках полностью сформированных модификаций. Изменение концентрации дефектов в зависимости от типа модификации кристаллической структуры C3S наиболее убедительно доказано для цинксодержащих твердых растворов. В процессе замещения ионов Са2 на Zn2 в узлах кристаллической решетки происходит перестройка структуры при формировании следующей модификации, которая сопровождается увеличением плотности структурных дефектов. [29]
Наши опыты показывают, что примесные ионы, если они присутствуют, переносят ток. [30]
Страницы: 1 2 3 4