Индикаторный ион - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Если существует искусственный интеллект, значит, должна существовать и искусственная тупость. Законы Мерфи (еще...)

Индикаторный ион

Cтраница 2


Имеет место общее правило, состоящее в том, что чем менее растворимо соединение или чем устойчивее комплекс, который образует индикаторный ион с противоположно заряженным ионом решетки, тем лучше переносится индикаторный ион.  [16]

Имеет место общее правило, состоящее в том, что чем менее растворимо соединение или чем устойчивее комплекс, который образует индикаторный ион с противоположно заряженным ионом решетки, тем лучше переносится индикаторный ион.  [17]

Часто применяется также так называемое индикаторное титрование, заключающееся в том, что точку эквивалентности при титровании не реагирующего на микроэлектроде иона нереагирующим же титрующим агентом определяют по уменьшению силы тока третьего индикаторного иона. Этот ион начинает связываться титрующим агентом, когда титруемый ион будет полностью удален из раствора.  [18]

Часто руководствуются правилом, которое состоит в следующем: если катион ( анион) свободного от носителя индикатора эффективно переносится образующимся или приготовленным заранее осадком электролита в присутствии избытка аниона ( катиона) осадка, то соединение между индикатором и анионом ( катионом) относительно трудно растворимо в условиях опыта; однако это правило следует применять с большой осторожностью, потому что многозарядные индикаторные ионы могут эффективно адсорбироваться на осадках с противоположным зарядом по механизму обмена компенсирующих ионов, хотя они и не образуют нерастворимого соединения с противоположно заряженным ионом решетки.  [19]

20 Кривые потенциометрического титрования. [20]

Метод Л - титрования основан на использовании электрода, чувствительного к индикаторному иону. При этом индикаторный ион должен находиться в равновесии и с определяемым веществом, и с титрантом, который может образовывать комплексы или малорастворимые соли с этими двумя веществами. Так, например, кальций определяют с помощью медь-селективного электрода: к анализируемому раствору добавляют ионы Си2, а затем титруют раствор ЭДТА. Поскольку титрант образует с Си2 более прочный комплекс, чем с Са2, то на кривой титрования наблюдаются две КТТ: первая соответствует меди, а вторая - кальцию. Если же индикаторный ион образует с титрантом более слабый комплекс, то к анализируемому раствору добавляют избыток титранта и оттитровы-вают непрореагировавший реагент раствором индикаторного иона. Разность между добавленным количеством титранта и его непрореагировавшим количеством позволяет вычислить концентрацию определяемого вещества. В качестве примера можно привести определение фосфат-ионов: к анализируемому раствору добавляют избыток нитрата лантана и оттитровывают непрореагировавшие ионы лантана раствором фторида, используя фторид-селективный электрод.  [21]

Часто задачу можно решить косвенным методом путем применения индикаторного иона ( стр.  [22]

Хан [ НЗ, HI56 ] объясняет подобное перенесение образованием аномальных смешанных кристаллов или внутренней адсорбцией и пытается провести различие между этими двумя процессами. Соосаждение путем процесса внутренней адсорбции, повидимому, обусловливается адсорбцией индикаторных ионов на поверхностях растущих кристаллов, где индикаторные ионы захватываются вновь образовавшимися кристаллическими слоями. Этот процесс рассматривается в следующем разделе. Соосаждение путем образования аномальных смешанных кристаллов, повидимому, обусловливается внедрением индикатора в кристаллическую решетку осадка, причем аномальные и истинные смешанные кристаллы, составленные из индикатора и носителя, должны быть очень сходными. Перенос при внедрении атомов индикатора в осадок с образованием аномальных или истинных смешанных кристаллов мало, зависит от внешних условий ( например, от избытка того или другого иона решетки, присутствия или отсутствия многозарядных посторонних ионов), которые влияют на процесс переноса, обусловливаемый адсорбцией. Значения коэффициентов распределения, получаемые при образовании аномальных или истинных смешанных кристаллов, воспроизводимы; этого не наблюдается в тех случаях, когда имеет место адсорбция. Ниже приведены примеры процессов переноса при образовании аномальных смешанных кристаллов.  [23]

Если это осуществляется, то, чем сильнее заряжен индикаторный ион, тем лучше он адсорбируется. Присутствие других сильно заряженных ионов с тем же самым знаком, как у индикаторных ионов, препятствует перенесению индикатора.  [24]

Хан [ НЗ, HI56 ] объясняет подобное перенесение образованием аномальных смешанных кристаллов или внутренней адсорбцией и пытается провести различие между этими двумя процессами. Соосаждение путем процесса внутренней адсорбции, повидимому, обусловливается адсорбцией индикаторных ионов на поверхностях растущих кристаллов, где индикаторные ионы захватываются вновь образовавшимися кристаллическими слоями. Этот процесс рассматривается в следующем разделе. Соосаждение путем образования аномальных смешанных кристаллов, повидимому, обусловливается внедрением индикатора в кристаллическую решетку осадка, причем аномальные и истинные смешанные кристаллы, составленные из индикатора и носителя, должны быть очень сходными. Перенос при внедрении атомов индикатора в осадок с образованием аномальных или истинных смешанных кристаллов мало, зависит от внешних условий ( например, от избытка того или другого иона решетки, присутствия или отсутствия многозарядных посторонних ионов), которые влияют на процесс переноса, обусловливаемый адсорбцией. Значения коэффициентов распределения, получаемые при образовании аномальных или истинных смешанных кристаллов, воспроизводимы; этого не наблюдается в тех случаях, когда имеет место адсорбция. Ниже приведены примеры процессов переноса при образовании аномальных смешанных кристаллов.  [25]

Предположим, что два других электролита, обозначаемые М А и МА, например хлористый литий и уксуснокислый калий, каждый из которых имеет общий ион с исследуемым веществом МА, могут служить индикаторами. Для того чтобы во время прохождения тока между растворами сохранялись отчетливые границы, прежде всего необходимо, чтобы скорость индикаторного иона М была меньше скорости М и чтобы скорость иона А была меньше скорости А. Если соблюдать эти, а также некоторые другие условия, которые будут рассмотрены ниже, то ионы М не будут перегонять ионы М у границы а, а ионы А не будут перегонять ионы А у границы Ь; в результате границы останутся неразмытыми. Поскольку ионы индикаторов обладают меньшими скоростями, их называют иногда отстающими ионами.  [26]

Потенциал полуволны ионов свинца равен-0 45 в по отношению к насыщенному каломельному электроду; следовательно, уже при - 0 5 и - 0 6s достигается предельный ток. Во всех случаях к электроду достаточно приложить потенциал, на 0 2 - 0 3 в отрицательнее потенциала полуволны индикаторного иона.  [27]

Амперометрия благодаря своим особенностям дает, пожалуй, более широкие возможности, чем полярография, для определения элементов. Как известно, в различных реакциях титрования для нахождения момента эквивалентности можно использовать электроактивность не только определяемых компонентов, нойтитран-тов и продуктов реакции, а также индикаторных ионов. Это особенно важно для определения анионов, включающих интересующие элементы.  [28]

29 Влияние концентрации ионов бария на количество радия, перенесенного заранее приготовленным осадком BaSO j. [29]

Это явление может быть связано с образованием аномальных смешанных кристаллов. Возможно, ионы индикатора, которые в макроколичествах не внедряются в кристаллическую решетку, являются достаточно сходными с одним из ионов решетки для замещения его в поверхностном слое, где условия тождественности размера и формы не так обязательны. Вследствие низкой концентрации индикаторных ионов кристалл может расти почти нормально, захватывая некоторые индикаторные ионы, но не претерпевая заметного нарушения в результате их присутствия. Большие количества таких посторонних ионов на поверхности кристалла не могут захватываться в растущем кристалле без заметного нарушения решетки; следовательно, рост происходит лишь в том случае, когда ион решетки замещает посторонний ион на поверхности в течение быстрого процесса обмена. Таким образом, индикаторные ионы ( но не макроколичества посторонних ионов) могут внедряться в решетку и в случае, когда смешанные кристаллы не изоморфны.  [30]



Страницы:      1    2    3