Cтраница 1
![]() |
Ионы в электролите гальванического элемента Вольта. [1] |
Положительные ионы цинка, переходящие все время в электролит, притягивают к себе отриаа тельные ионы кислотного остатка. Эти ионы в электролите движутся в направлении от медной пластинки к цинковой. [2]
Положительные ионы цинка, перешедшие в раствор, в силу электростатического притяжения располагаются в жидкости вблизи металлической поверхности в виде двойного электрического слоя. Одна часть этого слоя находится на поверхности пластинки, а вторая - в жидкости, прилегающей к ней. На границе металл-жидкость возникает равновесная разность потенциалов, называемая электродным потенциалом. [3]
Положительные ионы цинка, перешедшие в раствор, в силу электростатического притяжения располагаются в жидкости вблизи металлической поверхности в виде двойного электрического слоя. Одна часть этого слоя находится на поверхности пластинки, а вторая-в жидкости, прилегающей к ней. На границе металл - жидкость возникает равновесная разность потенциалов, называемая электродным потенциалом. [4]
![]() |
Электризация цинка. [5] |
Переход положительных ионов цинка в электролит обусловлен наличием на поверхности соприкосновения цинка с электролитом так называемых сторонних сил, действующих на положительные ионы цинка. Эти силы имеют атомное или электрохимическое происхождение и по своей природе существенно отличны от природы электростатических сил. Действие этих сил вызывает растворение цинка в электролите, в результате которого на цинковом электроде появляются отрицательные заряды, а в электролите, окружающем электрод, - положительные заряды ионов цинка. Между положительными зарядами, находящимися в электролите, и отрицательными зарядами цинка образуется электрическое поле; действие этого поля на положительные заряды цинка противоположно действию сторонних сил. Процесс растворенья цинка идет до тех пор, пока действие сторонних сил не уравновесится действием электрического поля. [6]
Вследствие химических процессов положительные ионы цинка Zn переходят в раствор серной кислоты, оставляя на цинковой пластине избыток отрицательных свободных зарядов. Одновременно в растворе серной кислоты тяжелые и малоподвижные положительные ионы цинка Zn оттесняют легкие и подвижные положительные ионы водорода Н к медной пластине, на поверхности которой происходит восстановление нейтральных атомов водорода. Между разноименно заряженными пластинами возникает однородное электрическое поле с напряженностью &, которое препятствует направленному движению ионов в растворе. Напряжете или разность потенциалов между пластинами, при которой накопление зарядов прекращается, служит количественной мерой сторонней силы ( в данном случае химической природы), стремящейся к накоплению заряда. [7]
Вследствие химических процессов положительные ионы цинка Zn переходят в раствор серной кислоты, оставляя на цинковой пластине избыток отрицательных свободных зарядов. Одновременно в растворе серной кислоты тяжелые и малоподвижные положительные ионы цинка Zn4 1 оттесняют легкие и подвижные положительные ионы водорода Н к медной пластине, на поверхности которой происходит восстановление нейтральных атомов водорода. При этом медная пластина теряет свободные отрицательные заряды, т.е. заряжается положительно. Между разноименно заряженными пластинами возникает однородное электрическое поле с напряженностью fi, которое препятствует направленному движению ионов в растворе. При некотором значении напряженности поля & g0 накопление зарядов на пластинах прекращается. Напряжение или разность потенциалов между пластинами, при которой накопление зарядов прекращается, служит количественной мерой сторонней силы ( в данном случае химической природы), стремящейся к накоплению заряда. [8]
Вследствие химических процессов положительные ионы цинка Zn переходят в раствор серной кислоты, оставляя на цинковой пластине избыток отрицательных свободных зарядов. Одновременно в растворе серной кислоты тяжелые и малоподвижные положительные ионы цинка Zn 1 1 оттесняют легкие и подвижные положительные ионы водорода Н к медной пластине, на поверхности которой происходит восстановление нейтральных атомов водорода. Между разноименно заряженными пластинами возникает однородное электрическое поле с напряженностью &, которое препятствует направленному движению ионов в растворе. При некотором значении напряженности поля S 60 накопление зарядов на пластинах прекращается. Напряжение или разность потенциалов между пластинами, при которой накопление зарядов прекращается, служит количественной мерой сторонней силы ( в данном случае химической природы), стремящейся к накоплению заряда. [9]
Вследствие химических процессов положительные ионы цинка Zn переходят в раствор серной кислоты, оставляя на цинковой пластине избыток отрицательных свободных зарядов. [10]
Переходящие в раствор положительные ионы цинка нейтрализуют-ся отрицательными ионами NO7, освобождающимися при выде - Ленин ионов свинца на свинцовой пластинке: ионы NOS - из одного сосуда перемещаются в другой по U-образной трубке. Если бы не было перехода ионов NO7 из одного сосуда в другой, то раствор цинковой соли приобрел бы положительный электрический заряд, а раствор свинцовой соли стал бы отрицательно заряженным. [11]
При растворении цинкового электрода положительные ионы цинка будут переходить в раствор, заряжая его положительно. При этом на цинковом электроде будут скапливаться оставшиеся от молекул цинка свободные электроны, вследствие чего этот электрод приобретает некоторый отрицательный потенциал. Медный электрод также отдает часть своих положительных ионов в раствор. Однако растворимость цинка значительно больше растворимости меди, вследствие чего отрицательный потенциал цинкового электрода будет гораздо больше потенциала медного электрода. [13]
![]() |
Гальванический элемент. [14] |
В процессе работы элемента положительные ионы цинка, переходя в раствор серной кислоты, вступают с ней в реакцию, при этом из молекул серной кислоты высвобождаются положительные ионы водорода, которые, достигнув положительного электрода, отбирают от него недостающие электроны и образуют нейтральные молекулы водорода. Водород осаждается в виде пузырьков на поверхности положительного электрода. [15]