Галоге-нирование - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Ничто не хорошо настолько, чтобы где-то не нашелся кто-то, кто это ненавидит. Законы Мерфи (еще...)

Галоге-нирование

Cтраница 2


Приведенное выше обсуждение галогенирования кетонов требует дополнения в одном важном вопросе, относящемся к галоге-нированию, индуцируемому основанием, а именно: если образуется а-галогенкетон, то прочие водородные атомы при данном углероде приобретают вследствие электроноакцепторного действия галогена более кислый характер и удаляются гораздо быстрее, чем первый водород.  [16]

Сравнительные данные трех методов галогенирования представлены в табл. 43.7, из которой следует, что галоге-нирование дает положительный эффект.  [17]

18 Энергетическая диаграмма молекулярных 71-орбиталей нафталина и антрацена. [18]

Конденсированные бензоидные углеводороды также легко вступают в реакции электрофильного замещения ( нитрование, сульфирование, галоге-нирование, ацилирование и алкилирование) и проявляют тем самым свойства ароматических соединений ( подробнее об их свойствах см. в гл.  [19]

20 Схема секции регенерации катализатора. [20]

Катализатор из верхнего бункера стекает в регенератор 6, где последовательно происходит выжиг отложившегося кокса и галоге-нирование до требуемого содержания хлоридов. Регенерированный катализатор с помощью автоматически регулируемых клапанов направляется самотеком в затворный бункер и далее с помощью другого комплекса автоматически управляемых клапанов-в за-хватное устройство пневмоподъемника.  [21]

22 Изменение ло-тенцигльной энергии р. пронессе реакции электрофильного замещения в бензоле. [22]

Сопоставляя скорости галогеннрования ароматических углеводородов со стабильностями комплексов, можно сделать вывод, что наблюдается явная симбатность между относительными ста-бкльностями соответствующих о-комплексов и скоростями галоге-нирования. Таким образом, строение активированного комплекса в реакциях электрофильного замещения близко к строению соответствующего а-комплекса.  [23]

Слабые связи галогена с атомами О, S, N, Р или с другими галогенами имеются в ряде реагентов, применяемых для гало-генирования, однако в силу указанных выше соображений галоге-нирование при использовании этих реагентов проходит не всегда достаточно селективно.  [24]

Вслед за первым же сообщением об образовании соединений ( VI) и ( VII) эта реакция была распространена, в частности, на протонирование в других условиях, а также на полярное галоге-нирование инаминов.  [25]

Робертсон с сотрудниками [17] развили точку зрения ( на основе сходных сравнений, но примененных специально к случаю галогензамещенных ароматических соединений), согласно которой электронный сдвиг вследствие сопряжения более важен для проявления реакционной способности в реакции молекулярного галоге-нирования, в то время как индуктивные электронные эффекты более важны в реакциях положительно заряженных реагентов.  [26]

Промышленные процессы прямого галогенирования, такие как хлорирование и фторирование, являются одним из важных методов химической переработки углеводородного сырья. Галоге-нированию, например хлорированию молекулярным хлором, подвергаются как газообразные насыщенные и ненасыщенные углеводороды, так и жидкие ( парафиновые, нафтеновые и ароматические) углеводороды.  [27]

Чем объясняется легкость галоге-нирования анилина.  [28]

Легче всего галогенируются углеводороды с третичным атомом углерода в молекуле, труднее всего замещаются атомы водорода при первичном атоме углерода. Разница в скорости реакции галоге-нирования особенно сказывается при действии брома.  [29]

Реакции называются последовательно-параллельными, если одно из исходных веществ принимает участие как в реакциях образования, так и в реакциях расходования промежуточных веществ. Примерами таких реакций могут служить процессы последовательного галоге-нирования, нитрования и др. Например, при действии нитрующей смеси ( смесь азотной и серной кислот) на толуол происходит последовательное замещение атомов водорода на нитрогрунпы с образованием моно -, ди - и тринитротолуола.  [30]



Страницы:      1    2    3