Cтраница 4
Газолин 70 Галактоза 253 Галактозамин 257 Галактуровая кислота 255 Галловая кислота 395 ел. Галогеналкилаты пиридина 500 Галогенангидриды 157 Галогенгидрины 81 Галогенокислоты 161 Галогенопроизводные алифатические 74, 75, 94 ел. [46]
Один из наиболее распространенных видов подобных осаждений основан на следующих реакциях. Определяемый элемент, например двухзарядный катион М, предварительно переводится в комплексную галогенокислоту Н2МНа14, где Hal Cl, Br, J; иногда еще более ярко выражены аналогичные свойства роданидных комплексов. Для образования таких комплексных кислот ртути, кадмия, цинка, кобальта и др. иногда достаточно внести в подкисленный анализируемый раствор немного галогенидной или роданидной соли щелочного металла. Далее прибавляют органическое основание ( АОН), например осноьной краситель метилфиолетовый. Окраска таких соединений часто отличается от окраски органического основания. На этом явлении основаны многие так называемые твердофазные реакции для качественного открытия некоторых элементов. [47]
В свою очередь этот атом углерода притягивает электроны от соседнего атома углерода. Для индукционного влияния характерно смещение а-э лектронов в сторону электроотрицательного атома и быстрое ослабление ( затухание) этого влияния вдоль цепи, вследствие чего, например, введение галогена в отдаленное от карбоксила положение ( С1 - СН2 - СНа - СН2 - СН2 - СООН) уже очень мало отражается на степени диссоциации галогенокислот. Быстрое затухание индукционного влияния атомов резко отличает его от рассмотренного выше ( стр. [48]