Cтраница 2
Ганн [326] в связи с наблюдениями Фостера сообщает, что, консультируясь с многочисленными пилотами, совершающими полеты над океанами, и метеорологами, знакомыми с погодными условиями над океанами, он получил подтверждения существования подобных теплых гроз. [16]
Ганн [327] указывает не столько на слабую корреляцию между интенсивностью осадков и грозовой активностью, сколько на то, что между ними нет простой связи. Кроме того, он утверждает, что быструю регенерацию и рост напряженности электрического поля, сопровождаемые разрядами молнии большой частоты, вряд ли следует ожидать, если интенсивность осадков не превысит некоторого определенного значения. Так что ссылка на Ганна не имеет оснований. [17]
Ганн обнаружил возникновение электрических, колебаний в однородном кристалле полупроводника при наложении постоянного электрического поля. [18]
Ганн родился в 1878 г. Уже в 1902 г. он начал заниматься торговлей акциями. [19]
Ганн и Грин с сотрудниками. Реакции проводились в пирексовой герметичной трубке, в которую перед опытом вводится взвешенное количество газа. Инициируют реакцию накаленной платиновой проволочкой, она протекает, как правило, со взрывом. Реакционная трубка находится в калориметре. В данных работах были использованы калориметры различных конструкций, в частности, изотермический и массивный калориметры. [20]
Ганн строил лучи, исходящие их характерных точек чар-та ( обычно из точек поворота), чтобы получать линии сопротивления и поддержки. Самое трудное здесь - правильно выбрать исходную точку линий Ганна. [21]
Ганн [62] установил, что скорость реакции репропорционирова-ния америция ( V) по реакции америция ( VI) с америцием ( III) пренебрежимо мала как в Л М, так и в 6 М растворах хлорной кислоты. Поэтому для реакции диспропорционирования америция ( V) нельзя получить равновесной константы, поскольку такого равновесия не существует. [22]
Ганн [1] сообщил, что реакция диспропорционирования америция) необратима. Это подтверждается также и нашими опытами. [23]
Ганном, стала основой его теории геометрических углов, на которой мы остановимся поподробнее. [24]
![]() |
Энергетическая диаграмма полупроводника с двух-долинной зоной проводимости. [25] |
Ганном [5] зондовые измерения показали, что при полях, превышающих пороговые значения, у катода периодически возникают дипольные электрические слои, которые движутся с дрейфовой скоростью носителей заряда к аноду. [26]
![]() |
Вольт-амперная характеристика диода Ганна [ IMAGE ] - 11. Домен в диоде Ганна. [27] |
Ганном в 1963 г. Эффект Ганна состоит в том, что при достаточно большом напряжении, приложенном к полупроводнику, в этом полупроводнике возникают СВЧ-колебания. В течение ряда лет этот эффект был тщательно исследован, выяснены физические процессы, происходящие в полупроводниках при высокой напряженности действующего в них электрического поля, и разработаны получившие уже довольно широкое распространение приборы для генерации колебаний СВЧ. [28]
Ганном было замечено, что при напряженности постоянного электрического поля в 1000 В / см, приложенного на кристалл арсенида галлия, происходило периодическое изменение тока, протекающего через кристалл с амплитудой, доходившей до долей ампера. Явление это наблюдалось только в полупроводниковых кристаллах, имеющих две зоны с электронной электропроводностью на различных энергетических уровнях. [29]
![]() |
Структура зоны проводимости арсенида галлия. [30] |