Ганн

Cтраница 3

Ганном было замечено, что при напряженности постоянного электрического поля в 1000 В / см, приложенного к кристаллу арсенида галлия, происходило периодическое изменение тока, протекающего через кристалл, с амплитудой, доходившей до долей ампера. Явление это наблюдалось только в полупроводниковых кристаллах, имеющих в зоне проводимости побочный минимум, расположенный выше основного, в котором эффективная масса электронов в несколько раз больше, чем в основном минимуме. [31]

Форма колебаний тока в полупроводниках с N-образной вольтам-перной характеристикой. а - образование домена. Ь - движение домена. с - исчезновение домена. [32]

Позже Ганн экспериментально установил, что эти колебания связаны с прохождением через образец областей ( доменов) сильного поля, и определил их форму. [33]

Линии Ганна строятся под различными углами от важного основания или вершины на ценовом графике. Линию тренда 1x1 Ганн считал наиболее важной. Положение ценовой кривой выше этой линии служит признаком бычьего рынка, а ниже нее - медвежьего. Ганн полагал, что луч 1x1 является мощной линией поддержки при восходящей тенденции, а прорыв этой линии рассматривал как важный сигнал разворота. [34]

Веер Ганна образуется лучами, располагающимися под выделенными им углами. [35]

Метод Ганна необычайно сложен и труден для понимания. [36]

Последователи Ганна могут воспользоваться специальными компьютерными аналитическими программами. Компания Лэмберт-Ганн паблишинг компани, о которой мы уже упоминали выше, предлагает пользователям пакет Ганнтрей-дер - 1, способный удовлетворить самого взыскательного аналитика. Компания Пардо1 корпо-рейшн распространяет программу технического анализа Эд-вэнст чартист, с помощью которой можно строить углы ( геометрические линии тренда) и линии ( горизонтальные процентные уровни) Ганна на комьютерном графике. Программа Компутрэк о которой мы уже рассказывали, включает в себя процедуру анализа с помощью кардинального квадрата Ганна, а также набор цифровых данных, необходимых для построения геометрических линий. [37]

Реакция Ганна и Шульце на изонитросоедииення ( спь стр. Образующиеся при этом соединения растворяются в водных щелочах с образованием красных растворов. [38]

Эффект Ганна, открытый десять лет назад, заключается в возникновении свч колебаний тока в некоторых полупроводниковых кристаллах под воздействием сильного электрического - поля. Колебания тока обусловлены формированием и движением в кристалле резко выраженных доменов - областей с высокой напряженностью поля. Рассмотрим кратко механизм эффекта Ганна. [39]

Эффект Ганна открыт в 1963 г. В 1966 г. был создан промышленный образец генератора СВЧ колебаний с рабочей частотой порядка 2 - 3 ГГц и выходной мощностью 100 Вт в импульсном режиме. На выставке измерительных приборов электронной техники и автоматики, состоявшейся в США в 1968 г., были продемонстрированы доп-плеровские радиолокационные станции с генератором Ганна, - предназначенные для измерения скорости движущихся тел. Эти станции настолько малы, что их можно держать в руках. [40]

Генераторы Ганна просты по конструкции, имеют значительный срок службы, могут питаться от источников низкого напряжения. Поэтому область их применения непрерывно и быстро расширяется. [41]

Диод Ганна в режиме с подавлением домена ведет себя по отношению к внешней цепи как элемент с отрицательным сопротивлением; свойства же его как автономного генератора тока не используются. [42]

Включение диода Ганна в полосковую линию. [43]

Диод Ганна может быть включен в полосковую линию, двухпроводную линию, коаксиальную линию, волновод-ный тракт, коаксиальные и волноводные резонаторы, перестраиваемые по частоте. Рассмотрим некоторые из схем включения диодов Ганна в СВЧ тракт. [44]

Генераторы Ганна могут быть сделаны только на основе полупроводникового материала с мнотодоли иной структурой энергетических зон, обеспечивающей значительное уменьшение подвижности носителей заряда при увеличении их энергии в электрическом поле и при переходе из центральной долины в боковую долину энергетической диаграммы. Таким материалом в настоящее время является арсенид галлия. Тонкие пленки арсенида галлия толщиной в несколько единиц или десятков микрометров, необходимые для генераторов Ганна, создают обычно методом эпитаксиального наращивания. Домены из; тяжелых и легких электронов должны возникать периодически в прикатодной части тонкой пленки при приложении к ней постоянного напряжения. Но возможно также хаотическое зарождение доменов и на различных дислокациях, дефектах и неоднородностях легирования тонкой пленки арсенида галлия. В результате этого будут возникать колебания тока с разной частотой и, следовательно, необходимо получать однородные тонкие пленки арсенида галлия. [45]

Страницы: 1 2 3 4