Ганн

Cтраница 4

Осциллограммы осцилляции Ганна в тонком образце GaAs, находящемся в сильном электрическом поле. Такие осцилляции тока возникали при приложении к образцу GaAs w - типа длиной 2 5 - 10 см импульса напряжения с амплитудой 16 В и длительностью 10 не. Частота осциллирующей компоненты равна 4 5 ГГц. Масштаб на нижнем рисунке. 2 не / см по горизонтальной оси и 0 23 А / см по вертикальной оси. На верхнем рисунке приведен рас.| Очень упрощенная схематическая зависимость дрейфовой скорости от поля в GaAs ( a. Пространственная зависимость электрического поля в образце GaAs при напряжении смещения вблизи критического поля Ес ( б. Изменение плотности заряда вдоль образца GaAs ( в. [46]

Эффект Ганна является примером того, как ОДС может приводить к высоко частотным осцилляциям. Чтобы понять этот эффект на качественном уровне [5.35], предположим, что в n - GaAs зависимость дрейфовой скорости от поля имеет простой вид, схематически изображенный на рис. 5.15 а. Предположим, что поле поддерживается при значении, слегка меньшем, чем пороговое поле Ес. [47]

Генератор Ганна - это полупроводниковый прибор, предназначенный для преобразования энергии источника питания постоянного напряжения в энергию сверхвысокочастотиых электромагнитных колебаний в результате возникновения в полупроводнике домена под действием сильного электрического поля. [48]

Зависимость плотности тока от напряженности поля в кристалле арсенида галлия электронного типа ( а, временная диаграмма тока диода Ганна в режиме накопления заряда ( б. [49]

Диоды Ганна используются в основном для генерирования колебаний ВЧ и СВЧ. В основе принципа действия этих диодов лежит эффект Ганна, проявляющийся наиболее сильно в кристаллах арсенида галлия электронного типа. Этот эффект связан с особой зависимостью подвижности электронов проводимости от напряженности электрического поля. [50]

Диод Ганна представляет собой полупроводниковый кристалл без и-р-пере-хода, в котором создано сильное постоянное электрическое поле. Для включения диод имеет два электрода: анод и катод. Должен применяться такой полупроводник, который имеет две зоны проводимости, например арсенид галлия. Исследование подобных полупроводников показало, что в этих двух зонах проводимости электроны имеют разную подвижность. [51]

Диод Ганна может работать как импульсный усилитель или генератор, если его напряжение смещения Us несколько ниже порогового напряжения Ut и если он нагружен на сопротивление RH. [52]

Диод Ганна - это полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под действием сильного электрического поля, предназначенный для генерирования и усиления сверхвысокочастотных колебаний. [53]

Зависимость тока, протекающего через диод Ганна, от.| Мезаструктура диода Ганна.| Устройство диода Ганна. [54]

Диоды Ганна применяют в логических схемах. [55]

Структура электрического домена.| Энергети ческие зоны полупроводника в сильном электрическом поле. [56]

Эффект Ганна используют при создании генераторов СВЧ-ко-лебаний. [57]

Эффект Ганна может служить для исследований зонной структуры полупроводников и может быть использован для разработки генераторов колебаний большой мощности в области частот порядка 10е ец. [58]

Диод Ганна является весьма перспективным прибором для создания в ближайшие годы твердотельных генераторов СВЧ диапазона. [59]

Генераторы Ганна с успехом могут использоваться в качестве гетеродинов приемников СВЧ, автогенераторов в самолетной и космической аппаратуре радиосвязи, локации, навигации, телеметрических системах. Перспективно использование диодов Ганна в усилительном режиме в качестве мощных усилителей СВЧ диапазона, а также в импульсных, вычислительных и логических устройствах. [60]

Страницы: 1 2 3 4