Вторичный ион
Cтраница 1
Вторичные ионы образуются в результате переноса атома водорода или электрона. [1]
Вторичные ионы после разделения в магнитном анализаторе попадают на оптический преобразователь изображения, где образуются третичные электроны. Последние после ускорения в обратном направлении достигают флюоресцирующего экрана, на котором образуется изображение распределения примесей на поверхности мишени. [2]
Вторичные ионы образуются при расщеплении первичных ионов в результате соударений или колебаний, на что указывает зависимость выхода этих ионов от давления ra3at формы пиков и кажущейся массы фракций. [3]
 |
Зависимость содержания Ю ( в процентах по отношению к полному. [4] |
Вторичные ионы исследуемого образца отклоняются вспомогательным электродом на 45 и направляются в масс-спектрометр с двойной фокусировкой. [5]
 |
Схема источника с двумя электронными пучками для исследования состава нейтральных продуктов ионизации. [6] |
Эти вторичные ионы регистрируются масс-спектрометром. [7]
 |
Продукты износа лезвий резца из быстрорежущей стали Р18МЗК25 при обработке конструкционных сталей. [8] |
Эти вторичные ионы проходят через электростатические линзы, ускоряются и фокусируются в пучок. Пучок вторичных ионов несет реальное изображение, образованное всеми типами ионов, вылетающих с бомбардируемой поверхности образца. Сфокусированный пучок разделяется в масс-спектрометре на отдельные элементарные изображения, каждое из которых соответствует ионам отдельных элементов. Отдельное ионное изображение подается на катод преобразователя, где преобразуется в электронное изображение, проецируемое на экран и на регистрирующую фотопленку. Регулируя настройку масс-спектрометра, можно последовательно наблюдать и фиксировать на пленку картину распределения искомого химического элемента на сканированной поверхности образца. [9]
Анализируются вторичные ионы, выбитые из образца пучком ионов высокой энергии. Вторичные ионы имеют большой разброс по энергиям ( 10 - 100 ае), поэтому для анализа необходим прибор с двойной фокусировкой. [10]
 |
Продукты износа лезвий резца из быстрорежущей стали Р18МЗК25 при обработке конструкционных сталей. [11] |
Эти вторичные ионы проходят через электростатические линзы, ускоряются и фокусируются в пучок. Пучок вторичных ионов несет реальное изображение, образованное всеми типами ионов, вылетающих с бомбардируемой поверхности образца. Сфокусированный пучок разделяется в масс-спектрометре на отдельные элементарные изображения, каждое из которых соответствует ионам отдельных элементов. Отдельное ионное изображение подается на катод преобразователя, где преобразуется в электронное изображение, проецируемое на экран и на регистрирующую фотопленку. Регулируя настройку масс-спектрометра, можно последовательно наблюдать и фиксировать на пленку картину распределения искомого химического элемента на сканированной поверхности образца. [12]
Масс-спектры вторичных ионов, полученные от массивных монокристаллов и эпитаксиальных пленок GaAs как по составу ионов, так и по относительным интенсивностям массовых линии масс-спектра оказались, в пределах ошибок измерения, одинаковыми в различных условиях опытов, что позволило, с одной стороны, сделать вывод о незначительном вкладе в интенсивность вторичных ионов различного структурного совершенства образцов кристаллов и пленок, а с другой - считать полученные данные справедливыми для массивных монокристаллических образцов и монокристаллических пленок. [13]
Изомеризация вторичного иона в первичный связана с затратой - 71 кДж / моль ( 17 ккал / моль) тепла. [14]
При исследовании вторичных ионов желательно, конечно, установить химическую реакцию, приведшую к их образованию. Обычно это делается путем измерения потенциала появления вторичного иона и сравнения его с потенциалами появления первичных ионов. При этом предполагается, что единственными нейтральными частицами, которые имеются в достаточно большом количестве, чтобы в заметной степени участвовать в реакциях, являются молекулы. Этот пик возрастает пропорционально квадрату давления, причем было найдено, что его потенциал появления равен 13 9 эв. Потенциал появления ионов СЩ из метана равен 14 4 эв [5]; другие лервичные ионы имеют потенциалы появления, далекие от этой величины. [15]
Страницы: 1 2 3 4