Вторичный ион

Cтраница 2

Поскольку спектр вторичных ионов может быть записан для любого из первоначально образующихся в источнике ионов, а полученную совокупность данных сложно представить в любой из форм записи обычных спектров, то предлагалось использовать трехмерные диаграммы для ее отображения. [16]

Интенсивность эмиссии вторичных ионов 1-го элемента ( /) сильно зависит от параметров первичного ионного пучка ( типов ионов, их энергии, плотности тока), анализируемой пробы ( характера хим связей, физ. С, N, / N0, представляет собой отношение числа испускаемых вторичных ионов Л 1 1 к числу первичных ионов N0, С, - концентрация г-го элемента в пробе. [17]

На интенсивность вторичных ионов сильно влияет матрица. Кроме того, изменяется спектр обломков, что еще больше затрудняет интерпретацию результатов. Частично влияние матрицы ослабляют, предварительно покрывая поверхность кислородом или применяя ионы кислорода в качестве первичных, - это стабилизирует эмиссию вторичных ионов. [18]

В конце концов вторичные ионы сталкиваются с молекулами изучаемого вещества и ионизируют их. [19]

Принято, что вторичный ион карбония в 16 раз более устойчив, чем первичный. Число возможных путей реакции учтено с помощью статистического фактора. [20]

Иногда прямой анализ вторичных ионов, образовавшихся во второй бесполевой области, называют MIKES ( от mass-anylyzed IKES); достоинства этого приема особенно ответливо проявляются при введении в масс-спектрометр камеры столкновений, заполненной легким газом. [21]

Схема прибора для анализа твердых образцов методом вакуумной искры. ] - электроды из исследуемого образца, 2 - диафрагма с пыхидной щелью ииниого источника, 3 - электростатический анализатор, 4 - вспомогательный коллектор, &. [22]

В результате ббразовантш вторичных ионов и вза-иуодействин анализируемого газа с накаленным катодом в масс-спектре могут появиться линии, совпадающие по массовому числу с линиями ионов анализируемой примеси. Iljj; определению примеси N2 или СО в водороде препятствуют ионы ( 2HJ, образующиеся в результате реакции водорода с углеродными загрязнениями катода. В этих случаях также необходим масс-спектрометр с высокой разрешающей способностью. Процессы сорбции и десорбции затрудняют определение легко сорбирующихся примесей, напр, паров воды. [23]

Распределение бора в ЗЮг. [24]

На интенсивность спектра вторичных ионов сильно влияет матрица; даже незначительные загрязнения поверхности металла кислородом, хлором, фтором уменьшают интенсивность сигнала вторичных ионов на несколько порядков. Частично влияние матрицы ослабляют, предварительно насыщая поверхность кислородом или применяя ионы кислорода в качестве первичных, - это стабилизирует эмиссию вторичных ионов. [25]

Измеряя зависимость выхода вторичных ионов от-времени t, мы и получаем кинетическую кривую, рассчитывая из нее соответствующую константу скорости. [26]

Таким образом, набор вторичных ионов, эмиттируемых молекулярными веществами, определяется двумя основными процессами: диссоциативной ионизацией молекул за счет неупругого столкновения с бомбардирующими частицами и ионно-молеку-лярными реакциями между образовавшимися ионами и окружающими их в горячем пятне молекулами. Для летучих веществ набор ионов, образующихся при диссоциации молекул, может быть установлен, если записать масс-спектр ионов, образующихся при бомбардировке ускоренными атомами газовой мишени. Значительно больший выход вторичных ионов из молекулярных веществ по сравнению с металлами объясняется тем, что нейтрализация образующихся ионов в диэлектрике затруднена. Начальные кинетические энергии вторичных ионов в основном определяются кинетическими энергиями осколков, образующихся при диссоциативной ионизации молекулы, которые, как правило, не превышают энергии химической связи в молекуле. Слабое влияние агрегатного состояния вещества и его температуры на вторично-эмиссионный масс-спектр можно объяснить тем, что все основные процессы, определяющие набор вторичных ионов, протекают в нагретой зоне, на состояние которой температура образца влияет мало. [27]

Вторая стадия - перегруппировка вторичного иона карбония в более устойчивый третичный ион карбония; перегруппировка осуществляется за счет перехода одной из соседних электронных пар вместе со связанной с нею алкиль-ной группой. [28]

Показано, что гидрокрекингу подвергается вторичный ион карбония, образованный из изоолефина, а не первичный ион нормального олефинового углеводорода. [29]

Временная диаграмма комбини-рованной развертки E2 / U const. [30]

Страницы: 1 2 3 4