Дальнейшая ионизация
Cтраница 5
 |
Модель поверхности полупроводника. [61] |
Слева показана чистая поверхность: ионизированные акцепторные состояния, находящиеся в равновесии с неионизированными состояниями, выхватывают электроны из наивысшей заполненной ( валентной) зоны, генерируя в ней положительные дырки, создающие проводимость р-типа путем перемещения электронов в заполненной зоне. Справа показана адсорбция кислорода. Перенос электронов осуществляется между занятыми акцепторными уровнями и адсорбированным кислородом О2 е - О О -, способствуя дальнейшей ионизации и восстановлению равновесия с увеличением числа положительных дырок. Слева показана чистая поверхность: ионизированные донорные состояния, находящиеся в равновесии с неионизированными состояниями при данной температуре, и соответствующее число свободных электронов в зоне проводимости. Справа - адсорбция водорода: электроны из адсорбированного водорода переходят на вакантные донорные состояния и вызывают смещение ионизационного равновесия, что увеличивает число свободных электронов в зоне проводимости, в - сложная поверхность катализатора. Обычная предварительная обработка катализатора часто включает стадию восстановления, которая приводит к тому, что поверхность полупроводника р-типа приобретает n - характер и вблизи поверхности происходит п - р-переход. [62]
А, энергия квантов которого согласно (3.48) - равна 12400 эв. Квант может быть поглощен атомом Не; при этом на удаление одного из двух электронов расходуется только 25 эв. Таким образом, освобожденный электрон получает кинетическую энергию, практически равную энергии кванта, и он может производить дальнейшую ионизацию газа. [63]
 |
Треки 8-частиц в фотографической эмульсии ( X 900. [64] |
Треки а-частиц выглядят как прямые плотные черточки примерно одинаковой длины, искривляющиеся лишь на расстоянии нескольких миллиметров от конца. Ионы возникают близко друг к другу группами по два или более. Избыточные ионы ( сверх двух) образуются за счет последующей ионизации электронами, вырванными в первичном акте и способными в свою очередь давать дальнейшую ионизацию. [65]
Схема счетчика Гейгера - Мюллера с нитью изображена на рис. 17.7. Он представляет собой металлический цилиндр, наполненный газом. По оси цилиндра натянута тонкая металлическая нить С, имеющая относительно стенок положительный потенциал U порядка 1000 В. Попадание внутрь цилиндра ионизирующей частицы вызывает в счетчике появление ионов, которые, ускоряясь полем, существующим между нитью и цилиндром, вызывают дальнейшую ионизацию. Весьма высокий коэффициент размножения ионов ( порядка 108 и более) не является постоянным - нарастание числа ионов приводит к появлению разряда. Последовательно нити счетчика включается резистор такого сопротивления R, чтобы возникший в счетчике разряд вызывал на этом резисторе падение напряжения, достаточное для прерывания разряда. Каждый раз при появлении в счетчике разряда импульс тока, возникший в счетчике и усиленный до необходимого значения, отмечает попадание в него одной частицы. [66]
Схема счетчика Гейгера - Мюллера с нитью изображена на рис. 17.7. Он представляет собой металлический цилиндр, наполненный газом. По оси цилиндра натянута тонкая металлическая нить С, имеющая относительно стенок положительный потенциал U порядка 1000 В. Попадание внутрь цилиндра ионизирующей частицы вызывает в счетчике появление ионов, которые, ускоряясь полем, существующим между нитью и цилиндром, вызывают дальнейшую ионизацию. Весьма высокий коэффициент размножения ионов ( порядка 10е и более) не является постоянным - нарастание числа ионов приводит к появлению разряда. Последовательно, нити счетчика включается резистор такого сопротивления R, чтобы возникший в счетчике разряд вызывал на этом резисторе падение напряжения, достаточное для прерывания разряда. [67]
Страницы: 1 2 3 4 5