Генерация - пары
Cтраница 2
 |
Структура фототиристора. [16] |
При освещении полупроводника базы р происходит генерация пар электрон - дырка. Воздействие первичного фототока на р-п-р-п структуру имеет тот же результат, что и воздействие управляющего электрода: уменьшается напряжение включения. Зависимость напряжения включения от светового потока UKKn f ( Ф) называют характеристикой управления фототиристора. [17]
 |
Изменение избыточной концентрации во времени [ IMAGE ] - 15. Изменение избыточной концентрации в пространстве. [18] |
Ток проводимости и ток диффузии, генерация пар носителей и рекомбинация, изменение избыточной концентрации носителей во времени и пространстве не исчерпывают всего многообразия сложных явлений, происходящих в полупроводниках, но они наиболее важны, и, зная их, можно правильно понять работу полупроводниковых приборов. [19]
Другой такой же константой будет скорость генерации пар носителей go за счет температуры. [20]
Он состоит из двух основных блоков: генерации пар соответствующих множеств вершин и разбиения этих множеств для определения соответствий между отдельными вершинами. [21]
Световой ток / с, связанный с генерацией пар в базе, а также в коллекторе и эмиттере, состоит из двух частей: тока / сз, который создается электронами, переходящими из эмиттера в базу, и дырками, уходящими из базы в эмиттер, и тока / ск, создаваемого дырками, уходящими в коллектор, и электронами, переходящими из коллектора в базу. [22]
При освещении светом малой интенсивности фотопроводимость возникала исключительно вследствие генерации пар свободных электронов и дырок. Следовательно, l pkr, где р берется из измерения фотопроводимости, а тг-время жизни в данном образце. [23]
Величина рекомбинациопных потерь для светового тока зависит от условии генерации пар. [24]
Процесс образования в полупроводнике пар электрон - дырка называется генерацией пар подвижных носителей заряда. В кристалле одновременно протекает и обратный процесс - рекомбинация, когда электрон проводимости восстанавливает разрушенную валентную связь. Рекомбинация подвижных носителей наиболее интенсивно происходит в особых центрах рекомбинации - различных дефектах решетки. При захвате этим центром носителей обоего знака происходит взаимное уничтожение дырки и электрона проводимости, который снова становится валентным. В стационарном ( установившемся) состоянии оба процесса уравновешиваются. [25]
 |
Области с различной концентрацией. [26] |
Итак, в результате понижения концентрации электронов возрастет общая скорость генерации пар дырка - электрон в диффузной области. [27]
Заметим, что в примесных полупроводниках уже при обычных температурах происходит генерация пар электрон-дырка. При невысоких температурах неосновные носители тока существенной роли не играют. Однако при высоких температурах, когда происходит интенсивная генерация пар электрон - дырка, полупроводник приобретает смешанную проводимость. Таким образом, преимущественно дырочная или электронная проводимость у примесных полупроводников сохраняется лишь при температурах ниже той, при которой начинает играть существенную роль собственная проводимость полупроводника. [28]
Заметим, что в примесных полупроводниках уже при обычных температурах происходит генерация пар электрон - дырка. При невысоких температурах неосновные носители тока существенной роли в электропроводности не играют. Однако при высоких температурах, когда происходит интенсивная генерация пар электрон - дырка, полупроводник приобретает смешанную проводимость. [29]
Некоторое изменение концентраций в области ВС объясняется пока еще незначительным процессом генерации пар зарядов. В интервале температур Тs - TI наряду с основными в и-полупроводнике появляются и неосновные носители зарядов - дырки. [30]
Страницы: 1 2 3 4