Генерация - пары
Cтраница 3
 |
Коэффициент поглощения Ge в области собственного поглощения. [31] |
Конечно, при этом надо учитывать лишь поглощение, связанное с генерацией пар. Практически при И со & L, все поглощение связано с этим процессом. [32]
Можно сказать, что собственная электропроводность полупроводника - это электропроводность, вызванная генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости. Образовавшиеся электронно-дырочные пары могут исчезнуть, если дырка заполняется электроном: электрон станет несвободным и потеряет возможность перемещения, а избыточный положительный заряд иона атома окажется нейтрализованным. При этом одновременно исчезают и дырка, и электрон. [33]
 |
Энергетические уровни сво-электронов и дырок. [34] |
Так как полупроводник обычно имеет температуру, равную температуре окружающей среды, то генерация пар электрон - дырка идет непрерывно и, следовательно, концентрация парных носителей зарядов должна была бы непрерывно увеличиваться. Однако этого не происходит из-за обратного процесса рекомбинации. [35]
 |
Определение коэффициента экситон-экситонной аннигиляции ys. синглетных состояний в антрацене. [36] |
Следовательно, по крайней мере для энергий до 6 3 эВ, процесс генерации пар в антрацене хорошо объясняется АИ-механизмом. Трудно предположить, что вероятность перехода зона - зона будет такая же, как вероятность перехода между двумя возбужденными синглетными состояниями и континуумом. [37]
 |
Зонная диаграмма и функция распределения частиц в собственном полупроводнике.| Зависимости E f ( p для полупроводников. [38] |
Равновесная концентрация свободных электронов и дырок при данной температуре характеризуется динамическим равновесием процессов генерации пар зарядов и их рекомбинации. [39]
Уменьшение отражения света в области максимальной чувствительности кремниевых преобразователей солнечной энергии сопровождается увеличением генерации пар носителей, что приводит к увеличению фототока. Работами [138] показано, что при образовании пленок методом окисления пропускание кремния может быть повышено с 54 до 86 %, а толщина пленок может достигать 1 49 мкм. Кроме того, по-видимому, имеется всегда незначительное поглощение монокристаллическим кремнием, обусловленное его электронной проводимостью. [40]
Из теории следует в этом случае Ар § т, где g - скорость объемной генерации пар. [41]
Здесь jns и / ps - токи насыщения электронов и дырок, связанные с тепловой генерацией пар, соответственно в р-области и i-слое и в га-области. [42]
Помимо описанных токов через переходы течет также обратный ток коллектора / ко, обусловленный тепловой генерацией пар электрон - дырка ( вблизи коллекторного перехода. [43]
В состоянии равновесия протекают компенсирующие друг друга противоположные процессы образования и уничтожения свободных носителей: генерация пар электрон - дырка и их рекомбинация, а также ионизация примесных атомов и нейтрализация ионов. В результате устанавливаются постоянные равновесные концентрации электронов и дырок. [44]
Почему при неизменных внешних условиях количество свободных носителей зарядов в полупроводнике остается постоянным, хотя генерация пар электрон - дырка происходит непрерывно. [45]
Страницы: 1 2 3 4