Генерация - пары
Cтраница 4
Как указывалось в § 25, при больших запирающих напряжениях в р - га-переходе может происходить генерация пар быстрыми носителями. В таком режиме ток коллектора может значительно превышать ток эмиттера. В некоторых типах транзисторов этот эффект используют для повышения коэффициента усиления по току. Конечно, в таком режиме соответственно возрастает ток базы. [46]
 |
Энергетическая структура полупроводника. [47] |
Вследствие того что электроны и дырки проводимости совершают хаотическое тепловое движение, обязательно происходит и процесс, обратный генерации пар носителей. Такое исчезновение пар носителей называется рекомбинацией носителей заряда. Этому процессу соответствует показанный штриховой стрелкой на рис. 1 - 7 переход электрона из зоны проводимости в валентную зону. Процессы генерации и рекомбинации пар носителей всегда происходят одновременно. Это означает, что генерируются все новые и новые пары носителей, а ранее возникшие пары рекомбинируют. [48]
Как и следовало ожидать, освещение электрода облегчает его анодное растворение из-за появления дополнительного количества дырок в результате генерации пар электрон - дырка при освещении. Это является еще одним доказательством зависимости кинетики анодного растворения от поверхностной концентрации дырок в полупроводнике. [49]
Наблюдаемое в р - i - га-диодах свечение, связанное с рекомбинацией пар, показывает, что после пробоя генерация пар происходит не по всему р - / г-переходу, а в отдельных каналах. [50]
В чистом полупроводнике, где примеси не оказывают существенного влияния на электрическую проводимость, говорят о собственной проводимости, обусловленной генерацией пар электрон - дырка при любом способе их образования. [51]
Различие в процессе анодного растворения шлифованного и протравленного германия связано с тем, что механические дефекты на шлифованной поверхности являются центрами генерации пар электрон - дырка. Возникающие в результате этого дырки тут же участвуют в электродной реакции и тем самым облегчают процесс анодного растворения германия. Естественно, что этот эффект пропадает после удаления нарушенного слоя. [52]
На переданный из цепи эмиттера в коллекторную цепь ток / кп накладывается обычный обратный ток / ко коллекторного перехода, обусловленный тепловой генерацией пар электрон - дырка вблизи коллекторного перехода. Если, как это показано на рис. 4 - 39, область базы более высокоом-на, чем коллекторная ( уровень Ферми в области базы расположен ближе к середине запрещенной зоны, чем в коллекторе), то равновесная концентрация неосновных носителей в базе будет также выше, чем в коллекторе. При этом обратный ток / о по существу состоит из электронов, скатывающихся из базы в коллектор. Обычно / ко С / кп и не оказывает существенного влияния на работу транзистора. [53]
 |
Зависимость токов коллектора от t / кб. [54] |
Ток, зависящий от температуры / s ( на рис. 4 - 1), называется обратным тепловым током и возникает в результате тепловой генерации пар электрон - дырка, в то время как ток, зависящий от напряжения, / у возникает главным образом вследствие утечки по поверхности перехода коллектор - база. [55]
 |
Зависимость коэффициента усиления. [56] |
Известно, что при достаточно большом напряжении обратного смещения на электронно-дырочном переходе неосновные носители, двигаясь в обедненном слое перехода, могут вызвать генерацию пар электрон-дырка. [57]
Таким образом, проведенные эксперименты подтверждают, что природа больших значений тока, текущего через переход при возникновении микротрещины, связана с большой скоростью генерации пар электрон - дырка в слое, прилегающем к трещине. [58]
Страницы: 1 2 3 4