Тепловая ионизация

Cтраница 1

Тепловая ионизация заключается в образовании электрически заряженных частиц в газах от воздействия на газ высоких температур в результате неупругпх столкновений часгии газа, имеющих большие запасы кинетической энергии. Образование электрически заряженных частиц в газах уже становится заметным при температуре около 2000 К. [1]

Конструктивное выполнение ( а и спектральные. [2]

Степень же тепловой ионизации зависит от температуры полупроводящего слоя. Чем эта температура ниже, тем больше атомов примеси ионизируется световыми квантами ( фотонами), в связи с чем чувствительность фотосопротивления по отношению к световому потоку повышается. [3]

В отличие от тепловой ионизации этот процесс называется ударной ионизацией. [4]

Последовательные стадии горения дуги мри отключении тока. [5]

Эта температура вызывает тепловую ионизацию и свечение всего объема, занятого ионизированным газом. В нем имеет место одинаковая концентрация положительных и отрицательных частиц, и поэтому пространственный заряд пламени практически равен нулю. Большая концентрация заряженных частиц приводит к большой проводимости пламени, приближающей его по свойствам к проводнику. Присутствие паров меди в пламени сильно способствует его поддержанию в течение сотых и даже десятых долей секунды после погасания дуги. Борьба с пламенем именно этого рода представляет собой важную задачу при построении дугогасительных устройств. [6]

Тепловой пробой происходит в результате тепловой ионизации атомов полупроводника и местного перегрева структуры. [7]

Поскольку рассмотренное явление связано с тепловой ионизацией, то напряжение, при котором обратная характеристика претерпевает резкий излом, носит название напряжения теплового пробоя VT. Вполне понятно, что возникновение теплового пробоя более вероятно на постоянном токе, нежели в импульсном режиме, поскольку при прочих равных условиях средняя мощность рассеяния на коллекторе в первом случае будет больше. [8]

Ток термогенерации / г обусловлен тепловой ионизацией атомов решетки в запорном слое коллектора. Образующиеся пары электрон - дырка разделяются электрическим полем р-п-перехо-да. Дырки при этом переходят в р-область коллектора, а электроны в n - область базы. Потоки этих носителей и определяют величину тока термогенерации. Поскольку количество генерируемых носителей пропорционально величине е-дя / кг ток термогенерации / г также зависит от температуры по экспоненциальному закону. [9]

В работах Тимашева [176, 177] рассчитывалась вероятность тепловой ионизации глубоких объемных и поверхностных локальных центров с учетом квантовых поправок, обусловленных конечной вероятностью перехода электрона на внезонные состояния в сильных электрических полях. Этот эффект, представляющий собой по существу разновидность эффекта Франца - Келдыша для локальных центров, обусловлен термическими электронными переходами на виртуальные внезонные состояния, появление которых в больших электрических полях предсказывается теорией Франца - Келдыша. [10]

С увеличением температуры проводящего мостика может происходить тепловая ионизация: при соударении атомов и молекул, находящихся в возбужденном тепловом движении, образуются ионы и наблюдается излучение. Излучение, в свою очередь, может вызвать фотоионизацию, при которой кванты света поглощаются молекулами с образованием ионов и электронов. На предыскровой стадии протекает небольшой ток, зависящий от проводимости гидродисперсии. [11]

Вычисленные нами по кривым термического высвечивания энергии тепловой ионизации F-к / И-иентров имеют в случаех щелочно-галоидных фосфоров, активированных серебром, следующие численные значения в эв. Отметим, что полученные нами численные значения энергии активации находятся в хорошем согласии с аналогичными величинами, полученными также методом термического высвечивания И. А. Парфиановичем [212] и Ч. Б. Лущи-ком [158] для активированных щелочно-галоидных кристалло-фосфоров, но они ниже величин энергии тепловой диссоциации F-центров, которые получены Смакулой [213] из измерений под-вижностей электронов в неактивированных аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах. Из сравнения полученных величин с данными таблиц 2 и 24 видно, что они более чем в два раза меньше соответствующих значений энергии оптической ионизации F - и М - центров. Де-Бур и Гиль [214] впервые указали на то, что энергия термической активации должна быть всегда меньше энергии оптической активации. [12]

Названные авторы пришли к выводу, что энергия тепловой ионизации Vj-центра составляет только одну десятую от атомной энергии возбуждения, что кажется несколько удивительным. [13]

Различают три вида пробоя тиристора: тепловой, обусловленный тепловой ионизацией атомов кремния в связи с локальным перегревом монокристаллической структуры; лавинный, обусловленный ударной ионизацией атомов кремния неосновными носителями; поверхностный, который может иметь место в зонах выхода р - n - перехода на поверхность кремния. [14]

Зависимость тангенса угла.| Кривая ионизации газа. [15]

Страницы: 1 2 3 4