Тепловая ионизация

Cтраница 3

Кривые термического высвечивания фотохимически окрашенных щелочно-галоидных кристаллов имеют во втором интервале температур по два пика термовысвечивания, обусловленные центрами захвата с двумя различными значениями энергии тепловой ионизации. Сопоставление кривых термического высвечивания с кривыми спектрального распределения вспышечного действия видимого света и спектрами поглощения окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений, а также данные о высвечивающем действии света на отдельные пики термовысвечивания и о фотохимическом превращении одних центров захвата в другие приводят к вполне достоверным выводам относительно природы центров захвата, проявляющихся во втором интервале температур. [31]

В любом проводнике кроме основных носителей тока всегда имеется некоторое, как правило небольшое, количество неосновных носителей, возникающих, например, в результате тепловой ионизации. Поэтому в - области наряду с электронами проводимости ( основными носителями) имеется небольшое количество дырок ( неосновных носителей), а в р-области кроме дырок - некоторое количество электронов. Контактное поле Ек способствует переходу неосновных носителей через р - - переход. В результате из - области течет ток неосновных носителей. Сила этого тока / слабо зависит от контактного поля. [32]

Вольт-амперная характеристика р-п перехода, включенного в прямом направлении, на низкой ( 3 и повышенной ( 3 температуре. [33]

При достаточно большом повышении температуры, зависящем от высоты потенциального барьера и плотности основных носителей р-п, переход может перестать существовать, так как из-за энергичной тепловой ионизации атомов полупроводника количество свободных электронов в обеих областях становится разным количеству дырок. [34]

В § § 10, 11 и 12 третьей главы дан краткий обзор истории и теории метода кривых термического высвечивания, рассмотрены различные способы определения энергии тепловой ионизации центров захвата при помощи метода термического высвечивания. [35]

Если наряду со сравнительно малым значением W величина ек - энергия связи электрона на акцепторной компоненте собственного дефекта - достаточно велика, в кристаллах происходит существенная равновесная самокомпенсация проводимости [4]: тепловая ионизация доноров приводит к образованию не свободных электронов, а собственных дефектов решетки, захватывающих электроны. При этом энергия, затраченная на образование дефекта, в значительной степени компенсируется энергией, выделившейся при захвате электрона проводимости на уровень этого дефекта, а соответствующее увеличение энтропии решетки обеспечивает понижение свободной энергии системы при образовании дефекта и локализации на нем электрона. Температурная зависимость концентрации носителей тока и собственных дефектов в случае равновесной самокомпенсированной проводимости имеет довольно сложный характер. [36]

Когда температура достигает таких высоких значений, что тепловая энергия kT сказывается сравнимой с энергией, которую нужно затратить на вырывание электрона из электронной оболочки атома ( энергия ионизации), то происходит тепловая ионизация. Атомы ( или молекулы) диссоциируют на положительно заряженный ион и электроны. [37]

Кроме электронов газы могут ионизовать быстрые ионы ( обоих знаков заряда), а также рентгеновские лучи и ультрафиолетовое излучение. Возможна тепловая ионизация газов, возникающая при высоких температурах, когда тепловые скорости молекул столь в. Возникающие при этом электроны могут, в свою очередь, вызывать ионизацию молекул газа. [38]

При достаточно высоких температурах столкновения частиц газа могут сопровождаться их ионизацией. Наличие этой тепловой ионизации приводит к установлению равновесия, при котором определенные доли полного числа частиц газа находятся на различных ступенях ионизации. Рассмотрим тепловую ионизацию одноатомного газа; этот случай представляет наибольший интерес, так как к моменту наступления тепловой ионизации химические соединения обычно уже полностью диссоциированы. [39]

Причина возникновения пламени заключается в высокой температуре газов, окружающих дугу или проходящих через нее. Эта, температура вызывает тепловую ионизацию и свечение всего объема, занятого ионизированным газом. В нем имеет место одинаковая концентрация положительных и отрицательных частиц и поэтому пространственный заряд пламени практически равен нулю. Большая концентрация заряженных частиц приводит к большой электропроводности пламени, приближающей его к свойствам проводника. Присутствие паров меди в пламени сильно способствует его поддержанию в течение сотых и даже десятых долей секунды после погасания дуги. Борьба с пламенем именно этого рода представляет важную задачу при построении дугогасительных устройств. [40]

Статистическая сумма S в общем случае может быть представлена как произведение поступательной, вращательной колебательной и электронной статистических сумм. Рассмотрение равновесия ионизации молекул едва ли имеет смысл, так как к моменту наступления тепловой ионизации химические соединения обычно уже полностью диссоциированы. Поэтому для молекул и молекулярных ионов необходимо рассматривать равновесие диссоциации, а для атомов и атомных ионов - равновесие ионизации. [41]

Величина Is может также возрастать за счет повышения рассеиваемой мощности при увеличении обратного напряжения. Повышение мощности приводит к росту температуры и, следовательно, к росту обратного тока за счет тепловой ионизации атомов полупроводника. [42]

Энергетические уровни примесей в полупроводнике.| Спектр примесного поглощения света мышьяком.| Возникновение э. д. с. на обкладках полупроводника при освещении светом. [43]

Так как энергия активации многих примесей в полупроводниках меньше средней энергии тепловых колебаний решетки при комнатной температуре ( & Б Г 0 026 эВ), то примесные атомы при этой температуре ионизированы термически. Для наблюдения поглощения энергии примесными атомами полупроводник необходимо охладить до температуры жидкого азота, чтобы исключить тепловую ионизацию примесей. [44]

Однако при уровне температуры 3000 К и умеренном давлении в десятки миллиметров ртутного столба невозможно поддерживать измеримую степень равновесной тепловой ионизации в инертном газе. Эта модель хорошо воспроизводит реальные условия в ракетной струе, где протекает процесс рекомбинации после быстрого расширения в сопле. [45]

Страницы: 1 2 3 4