Тепловая ионизация
Cтраница 4
Ширина АЕ этой зоны ( у диэлектриков: А. Тем не менее переход электронов из валентной зоны в зону проводимости при комнатной температуре не может быть вызван тепловой ионизацией. Переход в зону проводимости возможен лишь в результате соударения частиц, если энергия ударяющей частицы достаточно велика. [46]
Электроны, вырванные из катода, пролетая сквозь катодную область с большой скоростью, обусловленной наличием мощного электрического поля ( - 105 - 106 в / см), получают дополнительную кинетическую энергию, которую они затем передают атомам ( молекулам) или ионам газа, вызывая этим повышение температуры газового промежутка. Благодаря огромному количеству таких соударений температура столба дуги достигает очень большой величины - примерно 6000 - 8000 С, в связи с чем главную роль в столбе играет термическая или тепловая ионизация. [47]
При достаточно высоких температурах столкновения частиц газа могут сопровождаться их ионизацией. Наличие этой тепловой ионизации приводит к установлению равновесия, при котором определенные доли полного числа частиц газа находятся на различных ступенях ионизации. Рассмотрим тепловую ионизацию одноатомного газа; этот случай представляет наибольший интерес, так как к моменту наступления тепловой ионизации химические соединения обычно уже полностью диссоциированы. [48]
 |
Обратная ветвь вольтамперной характеристики диода. / - характеристика при туннельном или лавинном пробое. 2 - характеристика при тепловом пробое. [49] |
Третий вид пробоя - тепловой, связан с повышением температуры перехода при увеличении обратного напряжения. С ростом обратного напряжения возрастает рассеиваемая мощность и, следовательно, температура перехода. Повышение температуры способствует увеличению интенсивности тепловой ионизации атомов полупроводника. Этот процесс приводит к увеличению обратного тока Is и опять мощности. [50]
Рассеяние носителей в твердом теле вызвано неоднородностями кристаллической решетки - дефектами и тепловыми колебаниями решетки. С ростом температуры по мере тепловой ионизации примесных атомов ста - - новится существенным рассеяние на ионах примеси. Затем начинает играть роль рассеяние на тепловых колебаниях решетки - сначала на акустических, потом на оптических. [51]
В уравнениях ( 8) явно учтено, что существуют различные вероятности - теплового образования дефекта Френкеля без участия свободного электрона Я, и теплового образования дефекта Френкеля с одновременным захватом электрона из зоны проводимости г п, где т ] - постоянная величина при заданной температуре. Член t N мЩ, описывает обратный t n процесс захвата междоузельного атома вакансией, содержащей лишний электрон, а член К Ым ( Nv - nv) - процесс аннигиляции междоузельного атома с нейтральной вакансией. Коэффициенты yv, y o, yD, y D определяют вероятности тепловой ионизации вакансии и донора и захвата свободного электрона. [52]
При достаточно высоких температурах столкновения частиц газа могут сопровождаться их ионизацией. Наличие этой тепловой ионизации приводит к установлению равновесия, при котором определенные доли полного числа частиц газа находятся на различных ступенях ионизации. Рассмотрим тепловую ионизацию одноатомного газа; этот случай представляет наибольший интерес, так как к моменту наступления тепловой ионизации химические соединения обычно уже полностью диссоциированы. [53]
При этом обратное сопротивление кремниевого диода от величины порядка мегома резко падает до величин нескольких ом. У кремниевого диода этот эффект обратимый и используется для ограничения и стабилизации напряжения. В германиевых диодах при обратном напряжении, близком к пороговому напряжению, возникает явление теплового пробоя диода, ввиду того, что при этом происходит некоторое выделение тепла и дополнительная тепловая ионизация в полупроводнике. [54]
Страницы: 1 2 3 4