Генерация - электрон
Cтраница 1
Генерация электронов не, а отрицательное на-и дырок световой энергией. [1]
Генерация надтелловых электронов связана с резонансным возрастанием продольной ( параллельной градиенту плотности и направлению лазерного луча) компоненты электрич. [2]
 |
Схема включения фотодиода в преобразовательном режиме.| Вольт-амперные характеристики фотодиода в преобразовательном режиме. [3] |
При освещении фотодиода происходит генерация электронов и дырок. Под действием электрического поля источника Еа неосновные носители слоев р - и n - типов полупроводника создают в цепи ток, значение которого практически определяется только световым потоком Ф и равно приблизительно току короткого замыкания в генераторном режиме. Поэтому чувствительность фотодиодов в обоих режимах принято считать одинаковой. Для германиевых фотодиодов интегральная чувствительность достигает 20 мА / лм. [4]
При высоких температурах происходит усиленная генерация электронов и дырок, поэтому удельное сопротивление мало. [5]
При этом кроме процесса генерации электронов и дырок происходят процессы их рекомбинации, при которых. В диэлектриках и полупроводниках между тепловой генерацией и рекомбинацией носителей устанавливается динамическое равновесие, зависящее от глубины залегания примесных уровней и от температуры. Поэтому носители заряда, образующиеся при термической активации, называют равновесными. Если носители возникают при освещении или облучении диэлектрика, а также в сильном электрическом поле, их называют неравновесными, так как после выключения активирующего фактора их концентрация резко падает. [6]
 |
Плотности электронного и дырочного токов при лавинном умножении в несимметричном п - /. - переходе. [7] |
В данном случае скорость не-тепловой генерации электронов ( Gn) учитывает их генерацию под действием сильного электрического поля. Скорость нетепловой генерации численно равна числу носителей, образующихся в единицу времени в единице объема. Чтобы выразить скорость нетепловой генерации через коэффициенты ударной ионизации, рассмотрим единичный объем, имеющий длину в направлении прохождения носителей и площадь поперечного сечения, равные единице. [8]
Собственное поглощение света приводит к генерации электронов и дырок в равных количествах: 8п ор. Экситонное поглощение приводит к созданию связанной пары электрон - дырка, являющейся электрически нейтральным образованием, поэтому экситонное поглощение непосредственно не увеличивает концентрации носителей заряда. [9]
В полупроводниках наряду с процессом генерации электронов и дырок идет процесс рекомбинации: электроны переходят из зоны проводимости в валентную зону, отдавая энергию решетке и испуская кванты электромагнитного излучения. [10]
Здесь L - частица решетки до генерации электрона проводимости п -, и дырки проводимости р; d - донорный центр до генерации п -, a d он же после генерации. [11]
Она отличается от предыдущего метода тем, что генерация электронов с поверхности образца или детали осуществляется не бомбардировкой пучком электронов, а облучением поверхности монохроматическим рентгеновским излучением. В результате сохраняется достоинство Оже-спектроскопии, но полностью устраняется один из ее недостатков, связанный с опасностью разрушения материала при бомбардировке электронным пучком. [12]
Кроме этого, с ростом температуры перехода за счет тепловой генерации электронов и дырок удельное сопротивление полупроводника уменьшается, что в свою очередь приводит к уменьшению напряжения лавинного и туннельного пробоя. [13]
Когда квазиуровни Ферми заходят внутрь зоны ( случай б), генерация электронов по тем же соображениям возможна лишь с уровней, лежащих ниже квазиуровней Ферми для дырок, и с-уровней, расположенных выше квазиуровней Ферми для электронов. [14]
Следует указать, что в ур-ниях (3.41) и (3.44) Ga и Gn - это скорости генерации электронов и дырок, вызванные другими, в отличие от тепловой генерации, причинами. Однако, если генерация происходит за счет фотонов или других источников, то ее лучше учитывать как отдельный процесс. Члены Gп и Gp и представляют генерацию, вызванную этими обстоятельствами. [15]
Страницы: 1 2 3 4