Генерация - электрон
Cтраница 4
Источником излучения в дальней инфракрасной области спектра служит молекулярный газовый лазер. Расстояние между пластинами, ограничивающими пропускаемый пучок, равно толщине образца и составляет 0 2 - 0 35 мм. Поскольку эффективное расстояние оказывается порядка 10 длин волн, в образце вместо одной чистой поперечной электромагнитной моды распространяется много мод. В отличие от обычного полевого транзистора на ооразцах отсутствуют контакты стока и истока, для генерации электронов в приграничной области используется светодиод. Проведенные эксперименты показали, что при низких температурах инверсионный слой и объем ведут себя как две почти изолированные электрические системы, так как их разделяет толстый обедненный слой, кроме того, соответствующие квазиуровни Ферми, как правило, совпадают. Таким образом, толщина обедненного слоя и величина No6ea f могут быть меньше своих равновесных значений. [47]
Рассмотрим физические процессы в МДП-структуре, подробно описанные в [ 31, применительно к ПЗС, которые в отличие от МДП-транзис-торов работают только в импульсном режиме. Пусть при / - - - 0 напряжение на затворе изменяется скачком от ( Уз О до L / з Uaov, где и 0р - пороговое напряжение. В полупроводнике под затвором образуется потенциальная яма для электронов и в течение очень короткого отрезка времени ( порядка времени диэлектрической релаксации) формируется обедненный слой с высоким удельным сопротивлением, в котором под действием поля удалены основные носители - дырки, а электроны еще не успели накопиться. Глубина потенциальной ямы максимальна на границе полупроводника с диэлектриком, здесь начинает накапливаться зарядовый пакет электронов Q. Он появляется вследствие контролируемого переноса зарядов из соседней МДП-струк-туры и неконтролируемых процессов: тепловой генерации электронов в обедненном слое или на поверхности полупроводника, диффузии электронов из подложки. [48]
Страницы: 1 2 3 4