Генерация - электрон
Cтраница 2
За время dt в слое объемом dx ионизирующий фактор создает gdxdt электронов, где g - скорость генерации электронов. [16]
 |
Атом кремния. [17] |
При температурах, близких к комнатной, в примесных полупроводниках, как и в полупроводниках с собственной электропроводностью, происходит генерация электронов и дырок. Таким образом, кроме носителей заряда, возникших в результате ионизации атомов примеси, появляются электроны и дырки собственной электропроводности. Подвижные носители заряда, концентрация которых в примесных полупроводниках преобладает ( электроны проводимости в полупроводнике типа п и дырки в полупроводнике типа р), называют основными, а носители заряда, концентрация которых мала ( электроны в полупроводнике типа р и дырки в полупроводнике типа п) - неосновными. [18]
До сих пор мы рассматривали IM и TR режим работы ЛПД применительно к однопролетным структурам, в которых в результате лавинного умножения происходит генерация электронов и дырок, движущихся в противоположных направлениях. [19]
В данном случае на образование одного иона Mg2 расходуется один атом магния, однако расход магния по току увеличивается вдвое - один атом магния из двух затрачивается не на генерацию электронов, а на выделение водорода. [20]
В плазме высокоомных компенсированных полупроводников возможно возбуждение специфических медленных волн объемного заряда ( основной заряд сосредоточен на ловушках) - так называемых волн пространственной перезарядки ловушек [ 10.131. Движение такой волны происходит в результате генерации электронов с ловушек в одних областях пространства и последующего их захвата в других. [21]
Показано, что в кристаллах с решеткой типа NaCl время жизни зонных электронов т20 пс; в Csl - - т - 1 не при 300 К и уменьшается с уменьшением температуры; в CsBr минимальное г 50пс, что связано с генерацией электронов зоны проводимости в результате Оже-рекомбина-ции электронов валентной зоны и дырок первой остовной зоны. [22]
Это связано с дополнительной генерацией электронов, которые появляются за счет повышения интенсивности ионизации рабочего газа вторичными электронами, получающими добавочную энергию от ВЧ-поля. [23]
Через Nd здесь обозначена эффективная концентрация доноров, вычисленная с учетом компенсации. В стационарных условиях темпы генерации электронов с трехзарядных ионов золота ( gn) и захвата электронов двухзарядными ионами ( г) должны быть одинаковы. [24]
 |
Спектры поглощения eaq, полученные различными способами. [25] |
Электрон, находящийся в такой яме, имеет дискретные энергетические уровни и характеризуется определенным ко-роткоживущим интенсивным спектром поглощения. Спектр гидратированного электрона не зависит от способа генерации электрона, так же как форма спектральной полосы не зависит от рН раствора. [26]
Для переключения структуры тиристора из закрытого состояния в открытое используется световой сигнал, передаваемый по световолокон-ному кабелю. Освещение р-базы крайней ячейки квантами света вызывает генерацию электронов и дырок повышенной концентрации. Силовой ток вспомогательной структуры одновременно является управляющим током для основной части прибора, обеспечивая достаточно равномерное и быстрое ее включение. Основные стадии переходного процесса включения будут подробно рассмотрены в соответствующих разделах книги, посвященных вопросам применения тиристорных ключей. Здесь же заметим, что в зависимости от характера нагрузки и уровня переключаемого тока в структуре тиристора реализуются два основных режима. Один из них соответствует высокому уровню инжекции в узкой р-базе, а другой соответственно низкому. Широкая л-база тиристора выполняется, как правило, наиболее высокоомной, и в ней практически всегда реализуется высокий уровень инжекции, характерный для силовых переключателей. Наиболее просто механизм действия положительной обратной связи может быть продемонстрирован на основе двухтранзисторного аналога рассматриваемой структуры, показанного на 2.47. В такой модели коллекторный ток каждого из транзисторов одновременно является базовым током другого. [27]
Эмиссия по механизму Френкеля - Пула ( см. рис. 5.15, е) относится к числу чисто объемных механизмов генерации заряда и является по существу аналогом эмиссии Шоттки. Она представляет собой стимулированную ( облегченную) полем тепловую генерацию электронов в зону проводимости диэлектрика из относительно мелких объемных ловушек. В сильных электрических полях высота ку-лоновского барьера локального центра деформируется и уменьшается так же, как и в случае поверхностного барьера ( см. рис. 5.16), что увеличивает вероятность тепловой ионизации рассматриваемого центра. В частности, для ловушек с кулоновским потенциалом выражение для тока эмиссии в сущности идентично соотношению для эмиссии Шоттки с заменой высоты барьера МД или ПД на глубину потенциальной ямы ловушки. Кроме того, коэффициент при полевом члене должен быть увеличен вдвое, поскольку здесь в отличие от сил зеркального изображения положительный заряд ионизированного в результате эмиссии центра зафиксирован. Это и обеспечивает двукратное понижение высоты барьера по сравнению со случаем эмиссии Шоттки. [28]
При заданной температуре устанавливается динамическое равновесие. Процесс, идущий слева направо, является генерацией электронов и дырок, а обратный процесс называется рекомбинацией электронов и дырок. При повышении температуры в соответствии с принципом Ле Шателье это равновесие сдвигается вправо. [29]
В описание экспериментальной техники будут включены также различные методы генерации электронов и дырок. Будут обсуждены способы приготовления образцов и устройство держателей. Далее будут описаны некоторые опыты, позволившие разграничить резонансное поглощение электронами и дырками. [30]
Страницы: 1 2 3 4