Германий - тип
Cтраница 1
Германий типа р содержит положительно заряженные дырки, которые могут свободно перемещаться, и неподвижные отрицательно заряженные атомы акцептора. Германий типа п содержит свободные электроны и неподвижные положительно заряженные атомы донатора. Кристаллы германия типа р и германия типа п электрически нейтральны, так как положительные и отрицательные заряды в каждом из них уравновешивают друг друга. Такая диффузия приводит к тому, что дырочная область заряжается отрицательно, а электронная - положительна. [2]
 |
Плоскостной транзистор ( схематическое изображение. [3] |
При германии типа р острие должно быть отрицательно; инжектируются избыточные электроны. [4]
Дырки в германии типа р и электроны в германии типа п являются основными носителями тока. [5]
Два слоя германия типа р получаются из кристалла типа п вплав-лением капель индия так же, как у диодов, при этом капля меньшего диаметра образует один электрод - эмиттер, а капля большого диаметра другой электрод - коллектор. [6]
В пластину германия типа п вплавляют индий. Атомы индия, проникающие в глубь базы, создают в ней область, имеющую дырочную проводимость. [7]
 |
Диаграмма состояний германий - свинец. [8] |
В случае германия дырочного типа в качестве вплавляемого металла применяют элементы V группы таблицы Менделеева, обладающие наиболее выраженными донор-ными свойствами. В табл. 6 - 2 приведены некоторые физические характеристики этих элементов. Ни один из указанных в табл. 6 - 2 элементов не пригоден для непосредственного вплавления в германий дырочного типа, так как они хрупки и имеют иной, чем у германия коэффициент линейного расширения. [9]
Если к германию типа п подвести плюс, а к германию типа р минус от внешнего источника напряжения, то потенциальный барьер между электронной и дырочной областями увеличится. Обратный ток / обр за счет электронов, переходящих в область п, и дырок, переходящих в область р, остается практически постоянным. Внешнее напряжение такой полярности называется о б р а т н ы м напряжением. При некоторой величине обратного напряжения прямой ток / нр уменьшается до нуля, а обратный ток / Ogp остается без изменения. [10]
Известен также ряд алкилгалогенозамещенных германия типа ReGeX4 a и аналогичный ряд гидридов простых и смешанных эфиров. Все они являются устойчивыми бесцветными соединениями. [11]
Известен также ряд алкилгалогенозамещенных германия типа RQGeX4 a и аналогичный ряд гидридов простых и смешанных эфиров. Все они являются устойчивыми бесцветными соединениями. [12]
Известен также ряд алкилгалогенозамещенных германия типа ReGeX4 e и аналогичный ряд гидридов простых и смешанных эфиров. Все они являются устойчивыми бесцветными соединениями. [13]
Некоторые непредельные алкильные соединения германия типа RaGeCHCHR в присутствии небольших количеств перекиси бепзоила быстро превращаются в твердые полимеры. [14]
Для изготовления описываемых диодов используется германий дырочного типа проводимости, легированный галлием до концентрации 1н - 1 5 - 1020 см-ъ. Туннельный р-п переход создается вплавлением электрода ( шарик 030 мкм) из сплава олово - мышьяк, содержащего 4 % мышьяка. Вплавление проводится в атмосфере водорода при температурах 430 - 450 С. Предварительно в корпус диода вплавляется кристалл германия так, чтобы одна из боковых граней кристалла плотно прилегала к плоскости язычка. Затем травлением зазор между кристаллом и язычком доводится до ширины 10 - 20 мкм. [15]
Страницы: 1 2 3 4