Cтраница 2
В результате нанесения на поверхность пластинки германия типа п индия образуется сплав, который представляет уже полупроводник типа /, ввиду того что в нем теперь присутствуют атомы акцепторной примеси. [16]
![]() |
Полупроводниковые диоды.| Зависимость тока от напряжения германиевого, кремниевого и электровакуумного диодов. [17] |
Индий, проникнув в верхний слой германия типа п, сообщает ему дырочную проводимость. [18]
Дырки в германии типа р и электроны в германии типа п являются основными носителями тока. [19]
В работе [58] описаны способы изготовления датчика из германия типа п и р с минимальными паразитными выпрямительными эффектами. [20]
Можно также получить транзистор, поместив узкую область германия типа р между двумя внешними областями германия типа п, как показано на фиг. [21]
Такой кристалл германия с добавлением трехвалентной примеси называется германием типа р ( positive - положительный), поскольку он обладает избытком положительно заряженных носителей тока. Примесь называется акцепторной, так как ее атомы забирают электроны из атомов германия. Полупроводники, содержащие один из двух типов примесей, называются примесными полупроводниками. Заметим, что проводимость каждого из полупроводников типа р или п постоянна по всем направлениям, и, следовательно, такой полупроводник не обладает свойствами выпрямления. [22]
Для простоты будем считать, что граница, разделяющая германий типа п и германий типа р, выражена очень резко. [23]
Как бы ни казался парадоксальным этот факт, а в германии типа п атомы примеси оказываются ионизированными положительно. [24]
Если к германию типа п подвести плюс, а к германию типа р минус от внешнего источника напряжения, то потенциальный барьер между электронной и дырочной областями увеличится. Обратный ток / обр за счет электронов, переходящих в область п, и дырок, переходящих в область р, остается практически постоянным. Внешнее напряжение такой полярности называется о б р а т н ы м напряжением. При некоторой величине обратного напряжения прямой ток / нр уменьшается до нуля, а обратный ток / Ogp остается без изменения. [25]
График постоянных Холла, полученных теоретически для различных значений отношения захвата в германии дырочного типа, легированном золотом. [26]
Для простоты будем считать, что граница, разделяющая германий типа п и германий типа р, выражена очень резко. [27]
Можно также получить транзистор, поместив узкую область германия типа р между двумя внешними областями германия типа п, как показано на фиг. [28]
![]() |
Характеристики типичного плоскостного транзистора.| Схематическое изображение конструкции точечно-контактного тра н. [29] |
Два электрода с остро заточенными концами соприкасаются на небольшом расстоянии друг от друга с пластинкой германия типа п, которая является базой транзистора. Одна из этих областей является эмиттером, другая-коллектором. [30]