Cтраница 3
Индий и электродные сплавы на его основе служат основными материалами для получения р - п переходов на германии электронного типа проводимости и невыпрямляющих контактов на германии дырочного типа проводимости. [31]
Германий типа р содержит положительно заряженные дырки, которые могут свободно перемещаться, и неподвижные отрицательно заряженные атомы акцептора. Германий типа п содержит свободные электроны и неподвижные положительно заряженные атомы донатора. Кристаллы германия типа р и германия типа п электрически нейтральны, так как положительные и отрицательные заряды в каждом из них уравновешивают друг друга. Такая диффузия приводит к тому, что дырочная область заряжается отрицательно, а электронная - положительна. [32]
Метод наиболее подробно изучен в ряду германийорганических соединений, где можно исходить как из неорганических, так и из органических гидридов. Гидриды германия типа HGeX3 присоединяются к олефинам уже при комнатной температуре и в отсутствие катализаторов. [33]
![]() |
Зависимость удельного сопротивления я-германия от температуры при различных концентрациях доноров. [34] |
Для германия типа р при том же значении р концентрация акцепторов Na будет больше примерно вдвое из-за меньшей величины ( лр. [35]
Говорят, что около плоскости / - Г имеется р - - переход. Дырки в германии типа р и электроны в германии типа п являются основными носителями тока. [36]
Говорят, что около плоскости / - / имеется р - - переход. Дырки в германии типа р и электроны в германии типа п являются основными носителями тока. [37]
JJ - германий типа р, полученный равномерным добавлением трехвалентной примеси; справа - германий типа п, полученный равномерным добавлением пятивалентной примеси. [38]
Транзистор вырезается из целой пластинки кристалла германия, в который вплавляется с обеих сторон индий, создавая р - - переходы. Тонкий слой германия типа п называется базой. [39]
Германий образует ряд анионных ацидокомплексов. Анионные ацидокомплексы германия типа гетерополикислотных анионов, а гг же - шионные комплексы германия с органическими кислотами описаны в соответствующих разделах. [40]
![]() |
Схемы включения транзисторов. а - с общим эмиттером. б - с общим коллектором. [41] |
На рис. 25 показано устройство и схема включения точечного транзистора. Он состоит из пластинки германия типа п, припаянной с одной стороны к широкому металлическому электроду, называемому базой. [42]
Строго говоря, германийорганическими можно назвать соединения, имеющие связи германий - углерод. Вместе с тем, соединения германия типа алкоголятов Ge ( OR) 4, а также Ge ( SR) 4, Ge ( SeR) 4, Ge ( NR2) 4 и Ge ( OOR) 4, не являющиеся в нашем понимании германийорганическими, тесно связаны с последними генетически и будут поэтому описаны в данной главе. [43]
Строго говоря, германийорганическими можно назвать соединения, имеющие связи германий - углерод. Вместе с тем, соединения германия типа алкоголятов Ge ( OR) 4, а также Ge ( SR) 4, Ge ( SeR) 4, Ge ( NR3) 4 и Ge ( OOR) 4, не являющиеся в нашем понимании германийорганическими, тесно связаны с последними генетически и будут поэтому описаны в данной главе. [44]
Говорят, что около плоскости / - Г имеется р - - переход. Дырки в германии типа р и электроны в германии типа п являются основными носителями тока. [45]