Расплавленный германий - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Какой же русский не любит быстрой езды - бессмысленной и беспощадной! Законы Мерфи (еще...)

Расплавленный германий

Cтраница 2


При медленном вытягивании затравки из расплава расплавленный германий постепенно выкристаллизовывается на ее поверхности, образуя при этом монокристалл.  [16]

17 Печь для очистки германия методом зонной плавки. [17]

Если нужна еще более тщательная очистка, ультрачистыи расплавленный германий в специальных приборах медленно кристаллизуют в виде монокристаллов; такие монокристаллы применяются в полупроводниковой технике.  [18]

19 Кривые интенсивности и радиального распределения атомов расплавленного германия при 1000 и 1300 С. Данные А. С. Лашко. [19]

Можно предположить, что при 1000 С в расплавленном германии еще сохраняются наследственные черты структуры твердого германия, которые окончательно исчезают при более значительных перегревах.  [20]

21 Тянутый транзистор.| Сплавной транзистор. [21]

При этом в процессе вытягивания кристалла, например, из расплавленного германия в последний добавляются последовательно присадки мышьяка и индия.  [22]

Затравка из вещества, образующего акцепторные примеси, расплавляется и диффундирует через расплавленный германий.  [23]

Аналогичные выводы были сделаны в работе Кребса и Лазарева1, исследовавших структуру расплавленного германия при 960 и 1270 С.  [24]

Как видно из рисунков, кривые интенсивности и кривые радиального распределения, полученные для расплавленного германия при двух температурах, не тождественны.  [25]

На этом электроде активность кислорода больше, чем на левом, который состоит из расплавленного германия, изолированного от атмосферы. Таким образом, в рассматриваемом элементе электрическая работа получается за счет переноса кислорода через твердый электролит от правого электрода к левому.  [26]

27 Структуры полупроводниковых диодов, изготовленных способом вплавления ( а, диффузии ( б, эпитаксиального наращивания слоев ( в. структура точечного диода ( г и разрез маломощного плоскостного диода ( д. [27]

В процессе термической обработки таблетка и прилегающий к ней слой пластинки расплавляются и атомы индия проникают в расплавленный германий.  [28]

Восстановление совмещается с частичной очисткой методом направленной кристаллизации, для чего повышают температуру до 1010 С, и расплавленный германий стекает в стержнеобразную выемку. После выдерживания при 1010 С в течение 15 мин температуру в течение 2 ч снижают до 400 С. Восстановление, сплавление и направленная кристаллизация осуществляются в трубчатой печи, в которой с определенной скоростью перемещают графитовые лодочки с обрабатываемым материалом. Иногда для восстановления дуокиси германия используют аммиак.  [29]

Восстановление совмещается с частичной очисткой методом направленной кристаллизации, для чего повышают температуру до 1010 С, и расплавленный германий стекает в стержнеобразную выемку. После выдерживания при 1010 С в течение 15 мин температуру в течение 2 ч снижают до 400 С. Восстановление, сплавление и направленная кристаллизация осуществляются в трубчатой печи, в которой с определенной скоростью перемещают графитовые лодочки с обрабатываемым материалом. Иногда для восстановления дуокнси германия используют аммиак.  [30]



Страницы:      1    2    3    4    5