Расплавленный германий

Cтраница 3

Изотермы вязкости расплавов в системе Ge-In - Sb.| Изотермы вязкости расплавов в системе Ge - Ga - Sb. [31]

В связи с этим, опираясь на общие положения физико-химического анализа, можно заключить, что антимониды III группы, будучи растворенными в расплавленном германии, частично диссоциированы на компоненты, причем с повышением температуры степень диссоциации возрастает. [32]

Первый пик с побочным максимумом на кривой радиального распределения можно представить как наложение двух максимумов ( см. пунктирные линии), из которых первый, выраженный максимум относится, по-видимому, к структуре ближнего порядка, доминирующей в расплавленном германии при 1000 С, а второй - к остаткам структуры, свойственной более низким температурам, так как при 1300 С он полностью исчезает. [33]

Исследование движения дырок, введенных в германий п-типа. [34]

При плавлении германия образуется расплав, в котором атом германия окружен не четырьмя, а восмью соседями и в котором ковалентные связи заменены металлическими. Расплавленный германий, как показал впервые А. Р. Регель - металл. Более плотная упаковка атомов приводит к уменьшению удельного объема германия при плавлении. [35]

Исследование движения дырок, введенных в германий Л - типа. [36]

При плавлении германия образуется расплав, в котором атом германия окружен не четырьмя, а восемью соседями и в котором ковалентные связи заменены металлическими. Расплавленный германий, как показал А. Р. Регель, - металл. Более плотная упаковка атомов приводит к уменьшению удельного объема германия при плавлении. [37]

Атомы, для которых был определен коэффициент распределения, в твердом германии полностью ионизированы. Поскольку расплавленный германий обладает металлическими свойствами [ 13J, то примесные атомы в расплаве, вероятно, также полностью ионизированы. Так как необходимо, чтобы при переходе атомов примеси из твердого тела в расплав и наоборот выполнялось условие электронейтральности, то равновесие должно устанавливаться по реакции, в которой принимают участие как ионизированные примесные атомы, так и свободные электроны и дырки. [38]

Последний вращается и может перемещаться в вертикальном направлении с заданной скоростью при помощи часового механизма. Затравку 2 вводят в расплавленный германий, находящийся в графитовом тигле. Вся операция производится в сосуде с атмосферой очищенного водорода. [39]

Схематическое изображение основных конструкций плоскостных транзисторов. [40]

Далее, снова производится выращивание кристалла в течение короткого промежутка времени. После этого опять изменяется тип проводимости расплавленного германия и производится выращивание кристалла, пока новый слой не достигнет нужного размера. [41]

Зависимость а от температуры для транзисторов со сплавленным и тянутым переходами. [42]

Обычно плоскостные транзисторы с тянутым переходом изготовляются с помощью метода вытягивания кристалла из расплавленного германия. Этот процесс включает в себя плавление германия при соблюдении особо точного температурного режима. Температура над поверхностью расплавленного германия поддерживается несколько ниже точки плавления германия. При одном варианте этого процесса в расплавленный германий погружается очень маленький кристалл - затравка, также из германия, который затем медленно вынимается. В течение этого процесса на затравке вырастает один кристалл германия. [43]

Диаграмма состояния системы германий - олово. [44]

Окончательную очистку германия производят посредством зонной плавки. Монокристаллический германий обычно получают путем вытягивания из расплава по методу Чохральского; так как расплавленный германий не реагирует с графитом, то при этом обычно используют графитовые тигли. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5