Исходный германий
Cтраница 1
Исходный германий растворяют в соляной кислоте для отделения примесей. Полученный четыреххлористый германий дистиллируют в присутствии хлора для удаления следов мышьяка, а затем гидролизуют. Выпавшую в осадок двуокись германия после промывки и просушки восстанавливают водородом при температуре между 650 и 675 С. Затем к очищенному германию добавляют в заданном количестве необходимую примесь, расплавляют в инертной атмосфере и с применением затряяки вытягивают из расплава монокристаллический образец. Затравкой задается ориентация кристалла. [1]
Исходный германий растворяют в соляной кислоте для отделения примесей. Полученный четыреххлористый германий дистиллируют в присутствии хлора для удаления следов мышьяка, а затем гидролизуют. Выпавшую в осадок двуокись германия после промывки и просушки восстанавливают водородом при температуре между 650 и 675 С. Затем к очищенному германию добавляют в заданном количестве необходимую примесь, расплавляют в инертной атмосфере и с применением затраяки вытягивают из расплава монокристаллический образец. Затравкой задается ориентация кристалла. [2]
Технические требования на исходный германий должны, естественно, учитывать также и технологию производства мощных выпрямителей. В этом отношении жесткие требования предъявляются к однородности материала для обеспечения равномерной диффузии индия при вплавле-нии. Однородность материала необходима также для равномерного распределения тока по всему сечению выпрямителя. Очевидно, что однородность материала будет тем выше, чем меньше в нем примесей. Поэтому управление электропроводностью германия должно проводиться не путем компенсации разных примесей, а присадкой определенных примесей к чистому исходному материалу. [3]
Необходимо отметить, что исходный германий содержит 8 % изотопа 32Ge76, который в результате соответствующей ядерной реакции образует селен. [4]
Примеси, содержащиеся в исходном германии, сосредоточиваются в расплаве и собираются в том конце слитка, который кристаллизуется последним. Повторяя эту операцию несколько раз, удается ПОЛУЧИТЬ германий такой чистоты, когда на 100 млн. атомов германия приходится в среднем всего 1 атом примесей. [6]
 |
Схема кристаллизации В КОТОРОЙ ОЛОВО И МЗГНИЙ образуют германия при зонной плавке. соединение, содержащее олово в ко. [7] |
Примеси, содержащиеся в исходном германии, сосредоточиваются в расплаве и собираются в том конце слитка, который кристаллизуется последним. Повторяя эту операцию несколько раз, удается получить германий такой Чистоты, когда на 100 млн атомов германия приходится в среднем всего 1 атом римесей. [8]
 |
Схема кристаллизации гер - МУ методУ предварительно хорошо очи-мания при зонной плавке. щен. ное вещество, например металличе. [9] |
Примеси, содержащиеся в исходном германии, сосредоточиваются в расплаве и собираются в том конце слитка, который кристаллизуется последним. Повторяя эту операцию несколько раз, удается ПОЛУЧИТЬ германий такой чистоты, когда па 100 млн. атомов германия приходится в среднем всего 1 атом примесей. [10]
Коллекторной областью электронно-дырочных переходов служит исходный германий. [11]
 |
Образование р - п-перехода точечно-контактным методом. [12] |
На границе этой области и исходного германия образуется р-п-переход. [13]
Изготовление эпитаксиального транзистора основано на выращивании пленок на исходном германии ( или кремнии), обладающих всеми свойствами монокристалла. На хорошо обработанной, очень гладкой подложке осаждаемая тонкая пленка полупроводникового материала полностью повторяет структуру подложки. [14]
Наличие одновременно прямой и обратной диффузий при создании перехода коллектор - база позволяет использовать низ-коомный исходный германий. Это дает возможность создавать транзисторы с хорошими импульсными свойствами и высокими пробивными напряжениями на коллекторе без применения эпи-таксиальных пленок. [15]
Страницы: 1 2 3 4