Исходный германий

Cтраница 2

Полезно заметить, что если не использовать отходов германия, то лишь 1 % исходного германия сохраняется в конечном продукте. Интересно также, что ширина реза пилы при разрезке кристалла на слои и заготовки - того же порядка величины, что и толщина получающихся в результате пластинок. [16]

Если tn - время жизни электронов в р-слое значительно меньше Тр - времени жизни дырок в исходном германии электронной проводимости, то плотность обратного тока через переход может значительно увеличиваться при любом повышении пр, а сопротивление коллекторного перехода будет понижаться. [17]

Известные до настоящего времени соотношения между объемными свойствами полупроводника и параметрами точечно-контактных триодов позволяют лишь ориентировочно определить требования к исходному германию. Верхний предел удельного сопротивления ( 4 - 8 ом см) лимитируется здесь температурной стабильностью приборов и величиной сопротивления базы, а нижний ( 0 5 - 1 0 ом см) - максимально допустимым значением тока / со. Время жизни неосновных носителей заряда в германии, применяемом для изготовления большинства типов точечно-контактных триодов, превышает несколько микросекунд. [18]

Как следует из ( 30), при больших уровнях инъекции величина прямого тока вовсе не зависит от удельного сопротивления исходного германия. [19]

Характер этого изменения показан на рис. 3.20. До расстояния х0 от поверхности кристалла концентрация доноров ( сурьмы в нашем примере) превышает концентрацию акцепторов в исходном германии. [20]

Процесс изготовления меза-транзисторов. [21]

Примером может служить следующая технология. Исходный германий обрабатывают в парах сурьмы до получения слоя толщиной примерно 10 мк. [22]

Диффузионный / о-га-переход ( а и распределение примесей в полупроводнике после диффузии в него доноров ( б. [23]

Диффузионный p - n - переход, образованный в результате обратной диффузии примеси из полупроводника в соседнюю область, которая может быть металлом или полупроводником, называют конверсионным р-п-переходом. В исходный германий проводят вплавление навески металла или сплава. Медь, отличаясь высоким коэффициентом диффузии в германии, при вплавлении диффундирует из германия в навеску. [24]

Процесс изготовления и элемент сплавно-диффузионного траш. [25]

Отстающие индий, галий и золото образуют над базой область р - эмиттер. Коллектором оказывается исходный германий. В каждом углублении получается элемент транзистора структуры р-п - р ( рис. 2.53 е), пластина разрезается на элементы размерами 1X1 мм. Коллектор для лучшего теплоотвода может быть припаян к основанию корпуса. [26]

Конструкция высокочастотных германиевых диффузионных триодов П402 и П403.| Электронно-дырочный переход триода П402 - П403, полученный методом диффузии и вплавления примеси. [27]

Для вывода базы над углублением рманиевой пластинки имеется слой германия я-типа, поученный диффузией сурьмы из паровой фазы. Коллектором чужит нижняя часть исходного германия р-тина, в кото-ую не успела проникнуть сурьма путем диффузии. Пла-гинка германия крепится к кристаллодержателю коллек-эрной стороной, что значительно улучшает условия тепло-тдачи от коллектора. [28]

При дальнейшем охлаждении концентрация германия в расплаве уменьшается, рекристаллизованные слои все более насыщаются индием и переходят, наконец, в чистый индий. На границе; раздела исходного германия и-типа и слоя рекристаллизованного германия р-типа образуется электронно-дырочный переход. [29]

По этому методу предварительно хоровдо очищенное вещество, например металлический германий, помещают в лодочку, которую с заданной скоростью-проводят через узкую зону, нагреваемую до плавления германия. Примеси, содержащиеся в исходном германии, со-средшечввдиатея в расплаве и собираются в том конце слитка, который кристаллизуется последним. [30]

Страницы: 1 2 3 4