Исходный германий

Cтраница 3

Форма р-п перехода при вытягивании из расплава. [31]

Поскольку контакт точечный, то в нем получается большая плотность тока; место контакта разогревается до температуры, превосходящей температуру плавления материала электрода. На границе этой области и исходного германия образуется р - п переход. [32]

Исходный дырочный германий восстанавливается ( конверсируется) в электронный с удельным сопротивлением примерно в 1 ом-см. В качестве коллектора остается объем исходного германия, легированный медью. Эмиттер получается из индия, галлия и меди, база - область п - в объеме германия между коллектором и эмиттером обусловлена присутствием сурьмы. Выводом базы служит толстая база ( сурьма) и контакт из олова и свинца, припаянный к толстой базе. Получается структура элемента p - n - nvar-p, близкая к p - n - i - p ( рис. 2.55) с постепенным увеличением сопротивления в слое nvar в сторону коллектора. [33]

Рассмотрим движение введенных носителей тока ( дырок или электронов) от эмиттера к коллектору. Мы уже отмечали, что при увеличении содержания примесей в исходном германии усилительный эффект слабеет. В общих чертах это можно объяснить, заметив, что примеси препятствуют нормальному движению электронов и дырок, поставляя большое количество избыточных носителей. Избыточные носители либо приводят к слишком большому числу столкновений, либо настолько повышают проводимость материала триода, что управление током коллектора становится мало эффективным. [34]

Многочисленные исследования зависимости пробивного напряжения сплавных р-п переходов от удельного сопротивления германия показали, что обычно экспериментальное значение пробивного напряжения оказывается ниже расчетного. Одной из возможностей устранения поверхностного пробоя сплавных переходов является защита их диффузионным слоем повышенного сопротивления того же типа проводимости, что и сопротивление исходного германия. Из экспериментального исследования сплавных переходов найдено сопротивление поверхностного слоя ps, смещающее пробой в объем сплавных переходов. [35]

При дальнейшем охлаждении концентрация германия в расплаве уменьшается, рекристаллизованная область все более насыщается индием и переходит, наконец, в чистый индий. Индиевая капля играет роль невыпрямляющего контакта с дырочной областью германия. На границе раздела исходного германия - типа и рекри-сталлизованной области германия р-типа образуется электронно-дырочный переход. [36]

Отсюда ясно, что эффект накопления паразитного избыточного заряда приводит к существенному снижению надежности работы, транзисторов при их использовании в режиме насыщения. Уменьшение величины этого заряда и снижение его могут быть достигнуты уменьшением времени жизни электронов в коллекторе. Для этого полезно вводить примесь золота в исходный германий. Уровни золота обладают большим сечением захвата для электронов в р-германии. Другим способом может явиться некоторое изменение конструкции прибора: уменьшение расстояния между эмиттером и базовым контактом. [37]

Нижняя кривая показывает, что в слитке германия цо зонной очистки примеси распределены практически равномерно, лишь у правого края их несколько больше. Удельное электрическое сопротивление этого германия примерно 2 ом-см. Верхняя кривая, снятая после шестикратной зонной переплавки исходного германия, весьма убедительно подтверждает эффективность описываемого метода. Действительно, на протяжении половины слитка удельное сопротивление германия возросло примерно в 30 раз, достигнув почти собственного значения. [38]

Рассмотрим в качестве примера технологию изготовления германиевого переключательного диода. На рис. 12.3, а показана меза-структура, примененная в этом диоде, а на рис. 12 3, б, - общий вид диода. Для получения р-п перехода применен метод диффузии, причем исходный германий р-типа имеет удельное сопротивление 0 1 ом-см. Омические контакты получены с помощью вплавления шариков из сплава Sn - Ag - As со стороны - области и сплава Pb - Ag - Ga со стороны р-области. Диаметр р-п перехода в готовом диоде составляет примерно 30 мкм. [39]

Распределение примесей при создании электронно-дырочного перехода путем диффузии. [40]

Рассмотрим случай, когда в германий с постоянной концентрацией акцепторных примесей Л / а производится диффузия донорной примеси, например сурьмы. После диффузии концентрация сурьмы от поверхности в глубь германия изменяется в соответствии с рис. В. До расстояния х0 от поверхности кристалла концентрация доноров ( сурьмы в данном примере) превышает концентрацию акцепторов в исходном германии. [41]

Изменения в технологии производства точечно-контактных полупроводниковых триодов в сильнейшей степени сказываются на его основных характеристиках. Например, низкоом-ный германий дает низкие значения сопротивления базы гь и входного сопротивления гп, а высокоомный - приводит к обратному результату. Сопротивление выпрямляющего эмиттер-ного контакта растет с увеличением сопротивления германия, и наоборот. Температурная зависимость электрических характеристик полупроводникового триода растет с увеличением удельного сопротивления исходного германия. [42]

Не вынимая ампулу из сосуда Дьюара, производят вакуумирование до остаточного давления 10 - 4 мм рт. ст., после чего ампулу отпаивают. Покачиванием ампулы осторожно перемещают подложку в свободный конец. Подготовленную ампулу помещают в печь таким образом, чтобы подложка находилась в низкотемпературной зоне, а исходный германий и иод - в высокотемпературной. [43]

Перед ваку-умированием ампулу замораживают в сосуде Дьюара с сухим льдом во избежание испарения иода при откачке. Не вынимая ампулу из сосуда Дьюара, производят вакуумирование до остаточного давления 10 - 4 мм рт. ст., после чего ампулу отпаивают. Покачиванием ампулы осторожно перемещают подложку в свободный конец. Подготовленную ампулу помещают в печь таким образом, чтобы подложка находилась в низкотемпературной зоне, а исходный германий и иод - в высокотемпературной. [44]

Сущность метода заключается в том, что в пластинку полупроводника толщиной от 0.5 до 0.1 мм вплавливают металл или сплав металла, содержащего необходимые примеси. При этом образуется сплав вплавляемого вещества с германием. При охлаждении сплава равновесная концентрация полупроводника в расплаве уменьшается, в связи с чем полупроводник из расплава выкристаллизовывается. При этом, если донорная или акцепторная примесь обладает достаточно хорошей растворимостью и высоким коэффициентом сегрегации, количество вошедших в рекристалли-зованную область примесей может превысить количество примесей противоположного знака в исходном германии. В результате рекристаллизованная область приобретает противоположный тип проводимости. Если введенная примесь обладает высоким коэффициентом диффузии, то при достаточно высокой температуре вплавления может происходить одновременно диффузия металла в германий, вследствие чего образуется более плавный переход от германия р-типа к германию n - типа, или наоборот. [45]

Страницы: 1 2 3 4