Гетероэпитаксия

Cтраница 1

Гетероэпитаксия представляет большой интерес для роста композиционных сверхрешеток. [1]

Гетероэпитаксия позволяет получать гетеропереходы, обладающие специфическими электрофизическими характеристиками. Эпитаксия на диэлектрических и металлических подложках открывает большие возможности для разработки новых типов микросхем. [2]

Гетероэпитаксия кремния на изолирующих подложках является одним из перспективных направлений в технологии ИМС, так как в этом случае естественным путем решается проблема изоляции элементов схемы на подложке. [3]

Зависимость температурного коэффициента линейного расширения от состава твердых растворов при 7300 К. [4]

При гетероэпитаксии твердых растворов структурное совершенство эпитаксиальных слоев во многом определяется соответствием температурных коэффициентов линейного расширения осаждаемого материала и слоя. [5]

Магнитооптический модулятор, или переключатель на оптическом пленочном волноводе из феррита-граната. [6]

Для высококачественной гетероэпитаксии требуется близость постоянных решетки пленки и подложки, а для создания оптического волновода необходимо, чтобы показатель преломления пленки превышал показатель преломления подложки. [7]

Во всех случаях гетероэпитаксии основную роль играют процессы, происходящие на начальном этапе зарождения слоя и его роста, так как после формирования переходного слоя последующие слои осаждают в режиме автоэпитаксии. Для гетероэпитаксии кремния на сапфире лучшие результаты дает силановый метод. Только этим методом удается получить большие по площади однородные слои как р -, так и п-типа электропроводности с различным уровнем легирования. [8]

При авто - и гетероэпитаксии кристаллический переходный эпитаксиальный слой формируется в виде областей твердых растворов на основе кристаллических решеток двух срастающихся веществ. Протяженность этого слоя определяется внешними факторами и зависит от фазовых равновесий, характерных для данной системы. Для того чтобы переходный слой имел достаточно высокую степень совершенства кристаллической структуры, необходима взаимная растворимость срастающихся веществ и определенная температура процесса, при которой еще возможно ориентированное нарастание вещества. Существенную роль играют также степень концентрационного пересыщения осаждаемого вещества, совершенство подложки И чистота ее поверхности. [9]

Эпитаксиальные структуры. а - типа р - р. б - тийа п-п. в - типа р - п. е - типа п-р. [10]

В зависимости от материала эпитаксиального слоя и подложки различают гомоэпитаксию и гетероэпитаксию. При гомоэпитаксии химический состав слоя и подложки совпадают, например, при осаждении кремниевого слоя на кремниевую подложку. При гетероэпитаксии химические составы эпитаксиального слоя и подложки различны. Однако тип и основные параметры кристаллических решеток материалов слоя и подложки должны быть одинаковы. [11]

В общем случае эпитаксию подразделяют на автоэпитаксию ( гомотипная эпитаксия), гетероэпитаксию и хемоэпитаксию. [12]

В электронике фуллереновые слои должны быть эффективны в качестве буферных прослоек например при гетероэпитаксии пленок алмаза и карбида кремния. В эндометалло-фуллеренах, у которых размер имплантированного иона значительно меньше размера внутреннего размера фуллерена ( поры), ион металла смещен относительно центра молекулы. Это приводит к наличию в таких молекулах дипольного момента и возникновению поляризуемости. Такие эн-дометаллофуллерены должны обладать сегнетоэлектрическими свойствами. [13]

Отсутствие таких идеальных условий, при которых сохраняется полная тождественность сопрягаемых решеток, делает автоэпитаксию в действительности аналогичной гетероэпитаксии. Наличие несоответствия между ними возникает в большей или меньшей мере из-за реальных условий процесса конденсации, создающих внутренние напряжения, а затем нониус между обеими решетками и возникновение дислокаций несоответствия. [14]

Дислокации на поверхности раздела PQ двух кристаллов с межатомными расстояниями а и Ь. [15]

Страницы: 1 2 3