Гетероэпитаксия

Cтраница 3

Несмотря на то, что первые поисковые исследования в области интегральной оптики были выполнены в конце 60 - х годов, интенсивное исследование интегральной оптики началось в 70 - е годы. Разработка оптических интегральных схем связана с применением новейших технологических приемов ( электронно-лучевая литография, ионное внедрение, жидкофазная гетероэпитаксия, плазменное ВЧ распыление и пр. [31]

Преимуществами гидридных процессов эпитаксии слоев кремния и германия по сравнению с хлоридными процессами являются сравнительно низкие температуры осаждения и отсутствие химического воздействия хлорсодержащих соединений на подложку и растущий слой. Это позволяет уменьшить автолегирование осаждаемых слоев, получать более резкие концентрационные профили подложка - слой, улучшить качество эпитаксиальных слоев кремния и германия при гетероэпитаксии на диэлектрические и инородные полупроводниковые подложки, например: Si - Al2O3 ( кремний на сапфире - КНС) и Ge-AsGa, снизить искажения топологического рельефа слоев при осаждении на подложки со скрытым слоем. [32]

Как видно из таблицы, поликристаллические пленки используются во многих приборах [27], но их замена гетероэпитаксиальными в большинстве случаев была бы весьма эффективной. Необходимо дальнейшее совершенствование методов программированных температурных режимов и промежуточных слоев из другого вещества, которые бы компенсировали несоответствия решеток и способствовали реализации двумерного роста при гетероэпитаксии. [33]

В зависимости от материала эпитаксиального слоя и подложки различают гомоэпитаксию и гетероэпитаксию. При гомоэпитаксии химический состав слоя и подложки совпадают, например, при осаждении кремниевого слоя на кремниевую подложку. При гетероэпитаксии химические составы эпитаксиального слоя и подложки различны. Однако тип и основные параметры кристаллических решеток материалов слоя и подложки должны быть одинаковы. [34]

Опыт по технологии изготовления высокоэффективных объемных термоэлементов лишь в малой степени может быть использован при переходе к ПТЭ. Технология пленочных ветвей с высоким значением параметра z, а также их коммутация представляют самостоятельные проблемы. С использованием современных методов гетероэпитаксии удается получить весьма совершенные монокристаллические пленки с термоэлектрической эффективностью, иногда даже более высокой, чем в объемных преобразователях. Однако эти методы весьма трудоемки и их применимость при массовом изготовлении ПТБ проблематична. Кроме того, как отмечалось выше, параметры ПТБ определяются не только свойствами полупроводниковой пленки, но и свойствами подложки. Главным негативным фактором является паразитный тепловой лоток по подложке. Это накладывает существенные ограничения на материал последней. При достаточной механической и тепловой стойкости подложки она должна быть возможно более тонкой. Практически в настоящее время приходится выбирать между тонкими сколами слюды и полимерными пленками. В обоих случаях структуры подложки и конденсата существенно различаются, что приводит к сильной дефектности последнего. Появляются механи-ческие-напряжения, частично связанные с разницей в коэффициентах линейногд расширения. Чтобы уменьшить роль паразитного потока по подложке, полупроводниковую пленку следует делать как можно толще. Однако механическая прочность и термоэлектрические параметры резко ухудшаются при толщинах больше некоей критической. Реальные толщины полупроводниковых пле - йок в ПТЭ составляют 1 - 5 мкм. [35]

Структура и морфология пленки p - SiC на Si во многом определяют электрические свойства пленок и системы пленка - подложка в целом. Воздействие пленки на структуру и морфологию подложки может также обусловливать изменение свойств рассматриваемой системы. Исследования зависимости структуры пленок от технологических условий наращивания важны для выбора оптимальных условий получения заранее предусмотренной структуры ч выяснения механизма гетероэпитаксии. [36]

Зависимость морфологии поверхности эпитаксиальных слоев, полученных методом жидкофазной эпитаксии, от угла разориентации подложки в и положительного градиента температуры в расплаве кг ad Гх. [37]

В отдельных случаях на рельеф поверхности эпитаксиального слоя оказывает влияние характер легирования расплава. Так, при осаждении эпитаксиальных слоев фосфида индия легирование расплава примесями германия, цинка и олова сглаживает неровности поверхности, вызванные разориентацией подложки. Этот эффект возрастает при увеличении концентрации легирующей примеси и разности размеров основных и примесных атомов аналогично эффекту уменьшения плотности дислокаций в объемных монокристаллах полупроводниковых соединений ( см. § 6 гл. При гетероэпитаксии основным фактором, улучшающим качество поверхности эпитаксиальных слоев, является уменьшение рассогласования периодов КрИСТаЛЛИЧССКИХ решеток подложки и слоя. Оно изменяет условия зародышеобразования на поверхности растущего эпитаксиального слоя аналогично эффекту разориентации подложки. [38]

Несмотря на многолетнюю работу по изучению процессов эпитакси-ального роста пленок, закономерности эцитаксиальной кристаллизации полностью еще не объяснены. Накоплен общий экспериментальный материал, эпитаксия используется в промышленности. Уточнено действие принципа размерного соответствия, внешних условий, описан механизм роста пленок, но полного управления структурой и содержанием примесей в них достичь еще не удается. Особенно необходимо совершенствование методов гетероэпитаксии, расширяющей возможности получения монокристаллических, стабильных по структуре и свойствам пленок. [39]

Во всех случаях слой образуется в два этапа: зарождение и рост зародышей. Из N случайных частиц Na c остаются закрепленными на подложке, адгезия остальных частиц не происходит. Коэффициент сцепления оценивается величиной ас. В том случае, если кристаллические решетки слоя и подложки различны, возникает гетероэпитаксия. С увеличением температуры подложки переход атомов в состояние хемосорбции облегчается, отчего происходит большее сцепление слоя с подложкой. [40]

Ориентация кристаллографических направлений в клинообразной подложке Ge.| Обратная лауэграмма с пленки ромбоэдрической фазы CdS, выращенной на подложке ( 111 GaAs. Си-излучение. [41]

Полученные нами результаты соответствуют критерию взаимных ориентации, предложенному в [8] для определения эпитаксиальных соотношений между металлами и ионными кристаллами. Согласно этому критерию, взаимные ориентации кристаллических решеток при гетероэпи-таксии таковы, что в двух сопрягаемых решетках параллельны направления ( по крайней мере одно) с максимальной плотностью упаковки атомов одного сорта. Действительно, одному из них параллельно аналогичное направление плотнейшей упаковки атомов 1010) в решетке вюрцита. Менее плотно упакованные направления 111) и ( 0001 являются почти параллельными. Разориентация между ними объясняется в [9] для гетероэпитаксии CdS GaAs несоответствием параметров кристаллических решеток, что компенсируется появлением дислокаций несоответствия, обусловливающих разориентацию гетероэпитаксиального слоя относительно плоскости подложки. [42]

В биологии известны только три фактора эволюции: среда, наследственность и отбор. Причинами же эволюции являются борьба за существование и естественный отбор [ 45, с. Для переноса эволюционных представлений на процессы и закономерности роста совокупностей кристаллов необходимо в первую очередь проанализировать, действуют ли указанные факторы эволюции в растущей совокупности кристаллов. Представляется вполне естественным, что среда и отбор как факторы эволюции должны действовать и в рассматриваемом случае. Что же касается наследственности, то в этом смысле, как это понимается в биологии, она не может использоваться применительно к кристаллам. При росте кристаллов не происходит передачи признаков из одного поколения в другое. Безусловно, такие признаки, как, например, кристаллическая структура, параметр решетки и т.п., сохраняются в разных совокупностях. Однако они не передаются, а именно сохраняются как признак не совокупности, а материала. В результате развитие совокупности кристаллов происходит в условиях отсутствия наследственности как фактора эволюции. Тем не менее в литературе часто употребляется понятие наследственного роста; при этом понимается наследование кристаллом или совокупностью кристаллов кристаллографической ориентации материала подложки, т.е. авто - или гетероэпитаксия. В этом случае наследуется признак подложки, который не может быть отнесен к категории наследственных. [43]

Страницы: 1 2 3