Гетероэпитаксия

Cтраница 2

Эта теория дает объяснение возможностей совмещения двух различных кристаллических структур, однако остается неясным, как эта возможность осуществляется, хотя наличие поверхностных дислокаций наблюдалось в ряде случаев гетероэпитаксии. [16]

Во всех случаях гетероэпитаксии основную роль играют процессы, происходящие на начальном этапе зарождения слоя и его роста, так как после формирования переходного слоя последующие слои осаждают в режиме автоэпитаксии. Для гетероэпитаксии кремния на сапфире лучшие результаты дает силановый метод. Только этим методом удается получить большие по площади однородные слои как р -, так и п-типа электропроводности с различным уровнем легирования. [17]

Схемы горизонтальной ( вверху и вертикальной ( внизу реакторных камер для эпитаксии из газовой фазы хлоридным методом. / - реакторная камера. 2 - нагреватель. 3 - подставка для подложек. 4-подложка. [18]

Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и наращиваемого слоя различны по хим. составу и кристаллич. [19]

Технология пленочных ветвей с высоким значением параметра z, а также их коммутация представляют самостоятельные проблемы. С использованием современных методов гетероэпитаксии удается получить весьма совершенные монокристаллические пленки с термоэлектрической эффективностью, иногда даже более высокой, чем в объемных преобразователях. Однако эти методы весьма трудоемки и их применимость при массовом изготовлении ПТБ проблематична. Кроме того, как отмечалось выше, параметры ПТБ определяются не только свойствами полупроводниковой пленки, но и свойствами подложки. Главным негативным фактором является паразитный тепловой поток по подложке. Это накладывает существенные ограничения на материал последней. При достаточной механической и тепловой стойкости подложки она должна быть возможно более тонкой. Практически в настоящее время приходится выбирать между тонкими сколами слюды и полимерными пленками. В обоих случаях структуры подложки и конденсата существенно различаются, что приводит к сильной дефектности последнего. Появляются механи-ческие напряжения, частично связанные с разницей в коэффициентах линейногд расширения. Чтобы уменьшить роль паразитного потока по подложке, полупроводниковую пленку следует делать как можно толще. Однако механическая прочность и термоэлектрические параметры резко ухудшаются при толщинах больше некоей критической. Реальные толщины полупроводниковых пленок в ПТЭ составляют 1 - 5 мкм. [20]

При эпитаксиальном росте пленок важно, как4 проходит начальная стадия осаждения, соответствующая по времени достижению постоянных условий формирования пленки на поверхности кристалла-подложки. Почти во всех случаях гетероэпитаксии, за исключением весьма чистых условий гомоэпитаксии, на начальной стадии роста образуются трехмерные зародыши, участвующие в формировании системы ступеней роста поверхности пленки. Поэтому при изучении процессов роста пленок начальной стадии и механизму зародышеобразования должно быть уделено особое внимание. [21]

Схема аппаратуры для жидкофазной эпитаксии. [22]

Различают автоэпктак-сию - рост на одноименной подложке - и гетероэпитаксию - рост на химически отличающейся подложке. [23]

Температурно-временной режим жидкостной эпитаксии.| Схемы осуществления жидкостной эпитаксии в открытой системе для получения многослойных структур ( а и при групповой технологии ( 6. [24]

Толщина эпитаксиального слоя определяется начальной температурой эпитаксии Ттах интервалом и скоростью охлаждения, а также соотнощением объема расплава и площади поверхности подложки, находящейся в контакте с расплавом. В реальных условиях при наличии в растворе примесей или в случае гетероэпитаксии насыщенный раствор и подложка оказываются в неравновесном состоянии. [25]

Метод изоляции кремниевых элементов на сапфировой ( шпинелевой) подложке широко распространен и перспективен благодаря технологичности и высокому качеству диэлектрической подложки. Тонкие слои монокристаллического кремния осаждаются на сапфировую ( шпинелевую) подложку методом гетероэпитаксии. [26]

Полиморфные превращения, происходящие под влиянием одного или нескольких вышеперечисленных факторов, наблюдались в монокристаллических пленках металлов, полупроводников и изоляторов, выращенных методом испарения в вакууме, катодным распылением или химическим осаждением из газовой фазы. Ниже будут приведены типичные примеры полиморфного перехода в монокристаллических пленках, выращенных методом гетероэпитаксии, и будут рассмотрены механизмы, которые влияют на такой переход. [27]

Если поверхность подложки перед эпитаксией считать идеально чистой, то основным видом дефектов в растущем слое будут дислокации. Причиной может быть их репродуцирование в слое, а также развитие дислокаций несоответствия в случае гетероэпитаксии. В случае автоэпитаксии при полном соответствии решеток дислокации могут появляться вследствие пластической деформации решетки слоя при отжиге механических напряжений на границе слой - подложка, возникающих в том случае, если тип или уровень легирования подложки и слоя различны. В большинстве случаев это имеет место при получении р-п-структур. [28]

Эпитаксия проводится при высоких температурах, при которых закрепиться на подложке могут лишь те частицы, которые попали в узлы кристаллической решетки. Обычно различают автоэпитак-сию, когда на подложке выращивается монокристаллический слой того же вещества, и гетероэпитаксию - выращивание монокристаллической пленки на монокристалле другого вещества, имеющего сходную с ней структуру. [29]

Распространение света в световоде, 322. [30]

Страницы: 1 2 3