Диэлектрический гистерезис
Cтраница 1
Диэлектрический гистерезис в нелинейных диэлектриках определяется несовпадением кривой D ( E) при возрастании напряженности поля с кривой, соответствующей уменьшению напряженности. [1]
Вследствие диэлектрического гистерезиса обе кривые имеют вид петли. [2]
Сегнетоэлектрики характеризуются диэлектрическим гистерезисом и очень большой диэлектрической проницаемостью ( для - егнетовой соли она может быть приблизительно в 10 000 раз больше, чем для воздуха), значение которой зависит от напряженности внешнего электрического поля. [3]
Коэффициент прямоугольности петли диэлектрического гистерезиса является одной из важных характеристик, по которой можно оценить нелинейность сегнетоэлектрика. [4]
Это явление называется диэлектрическим гистерезисом ( ср. При первоначальном увеличении поля нарастание индукции описывается ветвью кривой /, которая не линейна. Это показывает, что в сегнето-вой соли имеется остаточная поляризация и сегнетова соль остается поляризованной даже в отсутствии внешнего электрического поля. При дальнейшем циклическом изменении электрического поля изменение индукции описывается изображенной петлеобразной кривой, носящей название петли гистерезиса. [5]
Третьей особенностью сегнетоэлектриков является диэлектрический гистерезис. Он заключается в запаздывании поляризации сегнетоэлектриков от напряженности электрического поля. [6]
При отрицательной температуре обнаружены петли диэлектрического гистерезиса, а в процессе переполяризации очень тонких кристаллов наблюдается доменная структура, однако границы доменов выражены неотчетливо. При температуре до - 60 С и выше в кристаллах исчезает доменная структура и двойное лучепреломление, кристалл становится оптически изотропным и деполяризуется полностью. [8]
На рис. 6.9 а приведена петля диэлектрического гистерезиса - главная характеристика доменной нелинейности сегнетоэлектриков. Как и в ферромагнетиках, гистерезис обусловлен переориентацией доменов: первоначально домены ориентируются с увеличением Е ( штриховая кривая), после чего наступает насыщение и рост Р ( Е) замедляется. [9]
 |
Температурные зависимости. 1 - спонтанной поляризаPs. г - коэрцитивного поля. [10] |
Сегнетоэлектрики в переменных электрических полях обладают диэлектрическим гистерезисом. [11]
При повышении температуры выше точки Кюри доменная-структура и диэлектрический гистерезис постепенно исчезают; под воздействием переменного или постоянного поля изменений е и tg б не обнаруживается, пьезоэлектрические. [12]
Мясоедова и других является сопротивление, эквивалентное потерям в земле на диэлектрический гистерезис. [13]
 |
Температурная зависимость диэлектрической проницаемости монокристалла ниобата лития ( кривые / - ес 2 - еа и керамики таиталата лития ( кривая 3. [14] |
В сегнетоэлектри-ческой фазе вплоть до 1 2 К наблюдаются узкие петли диэлектрического гистерезиса. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5