Диэлектрический гистерезис

Cтраница 3

Основные кристаллы с переходом типа порядок-беспорядок перечислены в табл. 6.5. Применяя теорию Ландау ( см. § 4.1), можно получить закон Кюри - Вейса для температурного изменения е, описать температурную зависимость Рс, объяснить петлю диэлектрического гистерезиса и другие нелинейные свойства сегнетоэлектриков. [31]

Исследования пьезокерамических материалов показывают, что кривая зависимости усилия от заряда имеет линейный участок, а при больших усилиях эта связь становится нелинейной. Наблюдается явление диэлектрического гистерезиса, зависимость величины заряда от деформации напоминает характеристику намагничивания стального сердечника. [32]

В настоящее время ведутся работы по использованию сегнетоэлектриков для целей вычислительной техники. Обладая прямоугольной формой петли диэлектрического гистерезиса, аналогичной прямоугольной петле гистерезиса ферритовых сердечников, сегнетоэлектрики выгодно отличаются от последних значительно меньшей мощностью, требующейся для управления. Разработка этих весьма перспективных элементов ведется совершенно недостаточными темпами, в частности и в физических институтах Академии наук. [33]

Площадь петли гистерезиса в соответствующих масштабах А § и dq abs ( а и b - масштабы по осям абсцисс и ординат) равна потерям Wr энергии в диэлектрике конденсатора за один период изменения напряжения. Эти потери называют потерями на диэлектрический гистерезис. [34]

Площадь петли гистерезиса в соответствующем масштабе А - abs ( а и b - масштабы по осям абсцисс и ординат) равна потерям Wr энергии в диэлектрике конденсатора за один период изменения напряжения. Эти потери называют потерями на диэлектрический гистерезис. Наличие этих довольно значительных потерь в таких веществах, как титанат бария, значительно затрудняет использование их при переменных полях, особенно при высоких частотах. [35]

Эти потери называют потерями на диэлектрический гистерезис. [37]

Закон Кюри-Вейсса для керамики титаната бария-стронция. [38]

По мере приближения к точке Кюри петля становится уже и меньше. При температуре несколько выше точки Кюри диэлектрический гистерезис исчезает и поляризация становится пропорциональной полю. [39]

Температурная зависимость диэлектрической проницаемости и пьезомодуля dtl керамики Т-1700.| Принципиальная схема диэлектрического усилителя.| Петля гистерезиса, близкая к прямоугольной. [40]

Для запоминающих устройств наиболее пригоден материал с возможно более прямоугольной петлей гистерезиса, что характерно для монокристаллов, однако и иоликристаллические образцы некоторых составов могут удовлетворять поставленным требованиям. Принцип действия такого элемента основан на диэлектрическом гистерезисе и сводится к следующему. [41]

Принципиальная схема диэлектрического усилителя.| Петля гистерезиса, близкая к прямоугольной. [42]

Для запоминающих устройств наиболее пригоден материал с возможно более прямоугольной петлей гистерезиса, что характерно для монокристаллов, однако и поликристаллические образцы некоторых составов могут удовлетворять поставленным требованиям. Принцип действия такого элемента основан на диэлектрическом гистерезисе и сводится к следующему. [43]

Кристаллическая решетка кристалла при этом деформируется в направлении поля. Кривая зависимости поляризации от приложенного поля имеет вид петли диэлектрического гистерезиса. Изменение направления поля вызывает остаточную поляризацию, а изменение величины приложенного поля приводит к изменению деформации сегнетоэлектрика. В случае приложения к сегнетоэлектрику помимо переменного еще и постоянного поля поляризации он становится пьезоэлектрическим веществом, изменение размеров которого зависит от знака приложенного поля. [44]

Температурная зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков ( а. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5