Диэлектрический гистерезис
Cтраница 2
Потери на поляризацию составляют наибольшую часть и могут быть найдены по диаграмме диэлектрического гистерезиса. [16]
Отличительной особенностью материала ВК-6 является большой коэффициент прямо - - угольностн петли диэлектрического гистерезиса. Это делает его пригодным для создания элементов памяти, запоминающих устройств электронных вычислительных машин. [18]
Одним из перспективных видов ЗУ являются устройства, в которых используется эффект диэлектрического гистерезиса, имеющий место в некоторых веществах - сегнето-электриках и обусловленный наличием в этих веществах спонтанной ( самостоятельной) поляризации, возникающей в определенном температурном интервале. [19]
Переменное электрическое поле вызывает переориентацию электрических диполей в диэлектриках, так называе - мый диэлектрический гистерезис, вызывающий нагрев диэлектриков. [20]
Спонтанная поляризация Р была измерена путем интегрирования пироэлектрических токов, а также из петель диэлектрического гистерезиса. Ниже 150 С петли гистерезиса не наблюдаются вследствие высокого коэрцитивного поля этого кристалла. Скорректированная по результатам обоих методов величина Ps при комнатной температуре составляет 0 22 0 01 Кл / м2, что меньше величины, рассчитанной из соотношения Абра-гамса ( гл. [21]
Потери энергии на высоких частотах в маломощных конденсаторах в основном вызываются проводимостью диэлектрика и диэлектрическим гистерезисом; потери в обкладках и выводах таких конденсаторов настолько малы, что ими обычно пренебрегают. [22]
Учет гистерезисных эффектов необходим во многих проблемах: гистерезис в задачах управления и биологии, ферромагнитный и диэлектрический гистерезис в физике, пластический гистерезис в механике и т.п. Книга посвящена систематическому изложению нового общего подхода к гистерезису, предназначенного для изучения систем, отдельными звеньями которых являются элементы с гистерезисом. Гистерезисные нелинейности трактуются как преобразователи с пространством состояний, соответствиями вход-выход и вход-состояние. [23]
Хотя ферроэлектриком по определению является кристалл, обладающий обратимой поляризацией, на что указывает петля диэлектрического гистерезиса, желательно провести некоторое дополнительное подразделение. [24]
Предварительные испытания, проведенные на керамических образцах, показали, что для некоторых составов этой системы петля диэлектрического гистерезиса получается близкой к прямоугольной, а изменение заряда при переполяризации достаточно большим. Пленка наносится на платиновую фольгу, которая служит электродом, способом химического осаждения с последующим обжигом в атмосфере паров окиси свинца, а второй электрод наносится на пленку методом испарения серебра в вакууме. При этом отсутствуют трудности, связанные с выращиванием правильных монокристаллов. [25]
 |
Температурная зависимость спонтанной поляризованное ( а и обратной диэлектрической проницаемости ( б п сегиоэлектриках с ФП1. [26] |
Представив функциональную зависимость Е ( Р) как Р ( Е), для полярной фазы получим ситуацию, аналогичную рис. 4.5 с областью неустойчивости и петлей диэлектрического гистерезиса. Соответственно изменяется и диэлектрическая проницаемость в зависимости от напряженности поля. [27]
Особенностями низкочастотных керамических конденсаторов является резкая зависимость емкости от температуры ( рис. 3), а для некоторых типов конденсаторов - зависимость емкости от величины приложенного напряжения и наличие диэлектрического гистерезиса. [28]
Для варикондов созданы материалы - аналоги магнитномягких и магнит-ножестких ферроэлектриков, названные сегнетомягкими и сегнетотвердыми и характеризующиеся как малыми, так и большими значениями напряженности коэрцитивного поля и диэлектрических потерь, разной формой петли диэлектрического гистерезиса, разными значениями спонтанной, полной и индуцированной поляризации. Особую группу составляют вариконды из материала ВК-6 с высокой лрямоугольностью петли диэлектрического гистерезиса. [29]
 |
Зависимость термодинамического потенциала ( а и его производных ( б, в от параметра порядка выше Тк. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5