Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Женщина верит, что дважды два будет пять, если как следует поплакать и устроить скандал. Законы Мерфи (еще...)

Глубина - диффузия

Cтраница 1

Глубина диффузии изменяется от нескольких микрон ( для элементов схемы) до 10ч - 100 мкм для их изоляции.  [1]

Внешний вид ( а и габаритный чертеж ( б кремниевого вентиля ВКВ2 - 350, 500.  [2]

Глубину диффузии атомов примесей ограничивают для того, чтобы между р - и n - слоями остался нетронутым исходный слой кремния. Увеличение толщины p - n - перехода ослабляет напряженность поля в переходе и дает возможность при тех же уровнях обратного тока значительно повысить величину допустимого обратного напряжения на вентиле.  [3]

Поскольку глубина диффузии ( и связанная с ней прочность сцепления покрытия с основой) определяется температурой и продолжительностью нагрева, для определения влияния этих факторов на прочность сцепления покрытий с основным металлом производились соответствующие опыты.  [4]

Практически глубина диффузии углерода для различных деталей колеблется от 0 5 до 2 мм.  [5]

Фазовый состав диффузионного слоя и послойное изменение концентрации элемента В, диффундирующего в элемент А, в случае образования между элементами системы сплавов из двух твердых фузия в гетерофазной обла-растворов ( а и Р и промежуточного TjL а i нрвпчможна.  [6]

Изменение глубины диффузии в зависимости от продолжительности насыщения подчиняется параболическому закону.  [7]

Структура высоковольтного планарного перехода с охранным кольцом, ограничивающим поле на поверхности ( а. распределение пространственного заряда у поверхности структуры а вблизи внешнего края охранного кольца и в зазоре между кольцом и основным переходом ( б. распределение электрического поля в тех же областях ( в. Взличина поля под плоской частью основного перехода превосходит максимальные значения поля как в зазоре, так и у внешнего края охранного кольца, dt - толщина обедненного слоя в я-области у поверхности. d2 - толщина обедненного слоя в и-области в объеме.  [8]

Увеличение глубины диффузии в области кольца, как видно из рис. 8 - 12, позволяет увеличить минимальный радиус кривизны перехода.  [9]

Влияние времени выдержки на глубину диффу -. зии. Температура при армировании в С.  [10]

На глубину диффузии влияет не только время, в течение которого образец выдерживается в печи, но и температура, при которой происходит процесс наплавки. Однако температура выше 1300 С нежелательна, так как при этом происходят структурные превр ащения карбида вольфрама, в ре - зультате которых ухудшаются его физико-механические свойства.  [11]

Влияние времени выдержки на глубину диффузии. Температура при армировании ( в С.  [12]

На глубину диффузии влияет не только время, в течение которого образец выдерживается в печи, но и температура, при которой происходит процесс наплавки. Однако температура выше 1300 С нежелателына, так как при этом происходят структурные превращения карбида вольфрама, в результате которых ухудшаются его физико-механические свойства.  [13]

На глубину диффузии компонентов припоя в основной металл в отдельных случаях решающее влияние оказывает такой технологический фактор, как величина зазора, определяющая количество жидкой фазы в шве.  [14]

В этом случае глубина диффузии компенсирует недостаточно полный контакт соприкасающихся поверхностей.  [15]

Страницы:      1    2    3    4    5