Глубина - диффузия
Cтраница 4
Чтобы не портить основной металл, достаточно шов между специальной и углеродистой сталями отдалить от места возможной коррозии на величину большую, чем глубина диффузии. [46]
Если коэффициент диффузии не зависит от концентрации и во всем пространстве сохраняется одна и та же температура, то это уравнение позволяет определить зависимость глубины диффузии х от времени: х а т / Т, здесь о - константа, в которую входит коэффициент диффузии. [47]
 |
Продвижение е - фазы по.| Диаграмма состояния железо - диффундирующий элемент с открытой ( а и замкнутой ( б т - областью. [48] |
Если диффундирующий элемент, растворяясь в железе, не вызывает в процессе насыщения фазовых превращений, то независимо от наличия при последующем охлаждении перекристаллизации глубину диффузии удается установить лишь по весьма слабому различию в травимости обычных по форме равноосных зерен. [49]
В то же время, очевидно, что при одностадийной встречной диффузии общее число структурных нарушений будет больше, чем в проведенной на ту же глубину двухстадийной диффузии: в первом случае область, где концентрация достигает 1020 ат / см3, будет иметь толщину гораздо больше, чем во втором. Вполне вероятно, что при двухстадийной встречной диффузии концентрация фосфора всюду в пластине снижается настолько быстро до величины, меньшей чем 1020 ат / см3, что дополнительно к дислокациям, возникшим в процессе первой стадии, новые структурные дефекты не возникают. Возникшие в процессе первой стадии диффузии дефекты скорее всего не достигают той области, где впоследствии будет создаваться транзисторная структура. Иное дело при одностадийной диффузии: очевидно, что в этом случае вероятность того, что до высокоомного слоя дойдет относительно много дислокаций, будет значительно больше. Приведенные соображения позволяют в какой-то степени объяснить, почему одностадийная встречная диффузия не позволяет получить удовлетворительных результатов. [50]
По мере развития СБИС размеры транзисторов постоянно уменьшаются, что приводит к необходимости постепенного сокращения площади истоков и стоков МОП-транзисторов и эмиттеров биполярных транзисторов, а также уменьшения глубины диффузии. [52]
В общем, можно утверждать, что если глубина распространения диффузии, рассчитанная по формуле ( 1 269), велика по сравнению с размерами зерна, то в реакции принимает участие вся внутренняя поверхность зерна. Если глубина диффузии приближается по величине к диаметру пор, тогда реакция протекает на поверхности тела. [53]
Начальная производная функции ( 4 - 155) равна нулю. Поэтому определим глубину диффузии иначе, в более общем виде. [54]
Меняя протяженность и глубину диффузии, можно менять величину сопротивления теоретически в широких пределах. Однако на практике величина сопротивления ограничивается тем, что приготовить такое сопротивление отдельно трудно. [55]
Морфология низкоосновных и высокоосновных гидросиликатов кальция отличается друг от друга [5], что может влиять на глубину продвижения переднего фронта коррозии. Передний фронт характеризует глубину диффузии ионов HS - и S-в цементном камне. Если в составе - продуктов твердения камня имеется мелкокристаллический гель низкоосновных г.с.к., то диффузия будет затруднена, передний фронт продвинется неглубоко. [56]
Время диффузии зависит от требуемой глубины диффузии. Например, для получения глубины диффузии галлия 80 ч - 85 мкм необходимое время процесса составляет. [57]
Вероятно, в результате коррозии сплава и плакирующего слоя и диффузии алюминия из сердцевины сплава в плакирующий слой эффективность электрохимической защиты понижается. При более толстом плакирующем слое глубина диффузии будет сказываться относительно меньше. [58]
Для получения низких значений времени переключения используют транзисторы с повышенной предельной частотой, малыми емкостью запирающего слоя и сопротивлением. В настоящее время технологически достижима глубина базовой диффузии 0 6 мкм, ширина базы 0 2 мкм, длина и ширина эмиттера соответственно 15 и 2 5 мкм. Однако получение этих предельных значений параметров сопряжено с определенными трудностями и снижением выхода годных ИМС. [59]
 |
Распределение примеси в пластине для двух моментов времени при диффузии из неограниченного ( а и ограниченного ( б источников. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5