Cтраница 4
![]() |
Дуговые плазменные головки. [46] |
Плазменная струя выделяется из токоведущего столба дуги в специальных устройствах - дуговых плазменных головках. Температура плазменной струи достигает 10 000 - 30 000 С. [47]
![]() |
Зависимость коэффициента использования наносимого материала. [48] |
Факторами, связанными с проведением процесса напыления, являются: расстояние от плазменной головки до детали, угол нанесения, между потоком частиц и покрываемой поверхностью, скорость перемещения головки, защищающий газ, атмосфера для нанесения покрытия. [49]
![]() |
Температура и источники ее получения. [50] |
Благодаря наличию газовой изоляции, стабилизирующей процесс плазмообразования, устройства такого типа называются плазменными головками с газовой стабилизацией. [51]
Факторами, связанными с энергетическими характеристиками плазмы, являются: мощность, подводимая к плазменной головке, вид плазмообразующего газа, его расход, геометрические размеры потока плазмы. [52]
![]() |
Схема головки, изготовленной в Темпльском университете, мощностью 12 квт. [53] |
Установка состоит из источника питания постоянного тока, системы питания головки газом, аппаратуры для подачи наносимого материала, регулирующей аппаратуры и плазменной головки. Источником питания может быть либо выпрямитель, либо сварочный генератор. Возбуждение дуги производится с помощью высокочастотного разряда. В качестве плазмообразующего газа используется азот с добавкой 3 - 10 % водорода. Могут также применяться и другие газы, например аргон. Рабочее напряжение 60 - 70 в при токе 400 а, мощность, потребляемая головкой, 25 квт, в некоторых случаях может быть увеличена до 50 квт. Система охлаждения головки замкнутая с теплообменником. Охлаждающей средой является дистиллированная вода. Токоподводящие кабели проложены в шлангах, подающих воду. Наносимый материал подается транспортирующим газом через отверстие в канале сопла, направленное под углом к потоку плазмы. [54]
![]() |
Схема подключения плазменной головки. [55] |
К и выше и обусловлена в основном высокой плотностью энергии в столбе разряда в результате его обжатия газовым потоком в узком канале плазменной головки. [56]
Весьма существенно на производительность процесса напыления и качество образующегося покрытия влияют технологические условия напыления, среди которых необходимо выделить следующие: расстояние от сопла плазменной головки до обрабатываемой поверхности, угол нанесения ( угол между направлением потока частиц и покрываемой поверхностью), скорость перемещения головки. [57]
Зависимость распределения энергии дуги между изделием, соплом, каналом и электродом, а также зависимость эффективной мощности q и напряжения дуги U от основных параметров режима работы плазменной головки представлены на фиг. [58]
От пульта управления отходят: шланг, подающий плазмо-образующий газ в головку; шланг, подающий газ в питатель: кабель питания привода дозатора; шланги, объединяющие подачу и слив охлаждающей воды с подачей напряжения на плазменную головку. [59]
Плазменная головка, порошковый питатель, пульт управления, источник питания, водопроводная магистраль и баллоны с плазмообразующим газом связаны комплексом коммуникаций, которые можно разделить на две группы: коммуникации, соединяющие пульт управления с источником, и коммуникации, соединяющие пульт управления с плазменной головкой и питателем. [60]