Cтраница 2
При низкой температуре скорость диффузии алюминия через продукты реакции незначительна. Это является другой причиной, затрудняющей развитие и протекание процесса. С повышением температуры ускоряются процессы диффузии, вызывая приток алюминия к фронту реакции. [16]
Алитирование основано на процессе диффузии алюминия в железо. [17]
Для того чтобы вызвать диффузию напыленного алюминия в основной металл детали, необходимо ее нагреть до температуры 900 - 950 С. [18]
Зависимость напряжения пробоя от глубины диффузии ( о и от удельного сопротивления кремния ( б. [19] |
Создание защитного кольца осуществляется диффузией алюминия, а центральной области перехода - диффузией бора. При этом-блатодаря различию коэффициентов диффузии бора и алюминия p - n - переход имеет ступенчатую форму. [20]
Кольцевая часть р-л-перехода формируется диффузией алюминия, центральная часть - диффузией бора. [21]
При такой термической обработке происходит диффузия напыленного алюминия в железо изделия. [22]
Таким образом, в результате диффузии алюминия и бора в карбид кремния образуется р ( р) и / ш - структура. [23]
Таким образом, в результате диффузии алюминия и бора в карбид кремния образуется р ( р) и шг - структура. [24]
Индиевая прокладка с холодной сваркой концов. [25] |
Разработан метод герметизации, основанный на диффузии алюминия в материал фланцев сквозь трещины в окйсной пленке на поверхности ( разд. [26]
Зависимость емкости р - n - перехода от обратного смещения. ( Т300 / К. [27] |
При наращивании в эпитаксиальную пленку происходит диффузия алюминия из подложки, концентрация алюминия в которой велика. [28]
Нами были исследованы р-л-переходы, полученные диффузией алюминия из подложки в эпитаксиальную пленку. Измерены вольт-амперные характеристики этих р - n - переходов и зависимость емкости от обратного смещения в диапазоне температур от 300 до 600 К. [29]
В процессе адсорбции алюминия никелем при 950 происходит диффузия алюминия в глубь, а никеля - к поверхности никелевого образца. [30]