Искривление - зона
Cтраница 1
Искривление зон не следует понимать как зависимость энергии электрона от расстояния от поверхности. Горизонтальный участок указывает лишь на то, что квадрат модуля волновой функции в этой области сохраняет периодичность с периодом, равным постоянной решетки, а загиб свидетельствует о том, что разрешенные значения энергии вблизи поверхности отличаются от таковых в объеме. [1]
Искривление зон вверх приводит к появлению у поверхности дырочного полупроводника слоя, обогащенного носителями заряда ( дырками), слоя с повышенной электропроводностью. [2]
Искривление зон энергетической диаграммы полупроводника происходит в противоположную сторону. Обогащенный приконтактный слой имеет низкое сопротивление при любой полярности внешнего напряжения, приложенного к переходу. Поэтому подобные контакты не обладают выпрямляющими свойствами и могут быть использованы для создания омических переходов в полупроводниковых приборах и микросхемах, необходимых для присоединения тех или иных элементов к внешней цепи. [3]
Если искривление зон происходит в собственном полупроводнике, то проводимость приконтактного слоя увеличивается. Иначе обстоит дело в случае примесной проводимости. Проводимость повышается, когда происходит обогащение приконтактного слоя основными носителями заряда и понижается при обогащении слоя неосновными носителями заряда. Слой с повышенной проводимостью ( обогащенный основными носителями заряда) называется антизапира-ющим. Слой с пониженной проводимостью ( обогащенный неосновными носителями заряда) называется запирающим. Слой называется инверсным, если в нем в результате сильного искривления зон меняется тип проводимости. [4]
Если искривление зон происходит в собственном полупроводнике, то проводимость приконтактного слоя увеличивается. Иначе обстоит дело в случае примесной проводимости. Проводимость повышается, когда происходит обогащение приконтактного слоя основными носителями заряда и понижается при обогащении слоя неосновными носителями заряда. Слой с повышенной проводимостью ( обогащенный основными носителями заряда) называют антизапирающим. Слой с пониженной проводимостью ( обогащенный неосновными носителями заряда) называют запирающим. Слой называют инверсным, если в нем в результате сильного искривления зон меняется тип проводимости. [5]
Вследствие искривления зон уровень Ферми на поверхности полупроводника оказывается сдвинутым по сравнению с положением его в объеме на величину Де. Работа выхода электрона изменяется в зависимости от степени заполнения поверхности адсорбированными молекулами газа. Увеличение работы выхода наблюдается при адсорбции электроноакцепторных, а уменьшение - при адсорбции электроно-донорных молекул на поверхности полупроводника. [6]
 |
Пояснение явления расширения и искривления зоны вещества по мере продвижения по колонке. [7] |
Причиной искривления зон служит более высокая скорость потока вблизи стенок по сравнению со скоростью в центре. [8]
 |
Искривление энергетических зон при наличии поверхностного заряда. и - отрицательного. б - положнтель.| Образование различных слоев в области пространственного заряда. [9] |
Величина искривления зон определяется электростатическим потенциалом Ч1, который является мерой потенциальной энергии электрона, находящегося в области пространственного заряда. [10]
В результате искривления зон положение уровня Ферми ( имеется в виду его положение относительно зон) на поверхности кристалла оказывается сдвинутым по сравнению с его положением внутри кристалла. [11]
 |
Энергетические диаграммы контакта металл - собственный полупроводник ( а и металл - слаболегированный полупроводник р-слоем ( б. [12] |
В результате искривления зон в приконтакт-ном слое может измениться тип электропроводности. [13]
В результате искривления зон в приконтактном слое слабо легированного электронного полупроводника с металлом ( рис. 2.11 6) может измениться тип электропроводности. Уровень Ферми лежит близко к середине запрещенной зоны. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5