Искривление - зона
Cтраница 2
В результате искривления зон положение уровня Ферми ( имеется в виду его положение относительно зон) на поверхности кристалла оказывается сдвинутым по сравнению с его положением внутри кристалла - Этот сдвиг, обозначенный на рис. 11 через Де, ра1вен разности потенциалов между поверхностью и объемом. [16]
И если это искривление зон велико ( V велико), то дополнительное искривление зон, обусловленное контактом полупроводника с металлом, может мало сказаться на свойствах этих контактов. Другими словами, свойства запирающих и анти-запирающих слоев будут мало зависеть от природы металла в том случае, когда в действительности они создаются поверхностными состояниями. Различают медленные и быстрые поверхностные состояния в зависимости от времени обмена носителями заряда между ними и объемом. Для медленных состояний времена установления равновесия имеют значение от десятых долей секунды до многих часов. Медленные состояния связаны с атомами или ионами, адсорбированными на слой окиси или какой-либо другой промежуточный слой полупроводника. Быстрые состояния локализованы на границе между объемом полупроводника и окисной пленкой. [17]
Хемосорбция, изменяя искривление зон, может вызвать заметное изменение электропроводности в приповерхностном слое полупроводника, что в случае достаточно маленького кристалла может отразиться на общей электропроводности образца. [18]
В этом случае никакого искривления зон не наблюдается, так как диэлектрик не способен поставить сколь-нибудь значительный заряд из своего объема. Наличие этого внутреннего поля в отсутствие внешнего напряжения является следствием перераспределения заряда между электродами. [19]
Это явление вызвано весьма сильным искривлением зон проводимости в InSb и InAs, в результате чего вырождение наступает при относительно низких концентрациях электронов. В этом случае рассматриваемые материалы ведут себя в некоторой степени аналогично металлам, но имеют гораздо меньшую концентрацию электронов. Осциллирующее магнетосопротивление имеет ту же природу, что и эффект де Хааса - ван Альфена, а именно оно характеризуется постепенным сокращением числа занятых уровней Ландау по мере увеличения напряженности магнитного поля. Для наблюдения осциллирующего магнетосопротивления в поле Я следует удовлетворить двум противостоящим условиям. Ввиду очень малых эффективных масс электронов в InSb и InAs - типа эти два условия одновременно удовлетворяются при достижимых магнитных полях. [20]
Хемосорбция, приводя к искривлению зон, может изменять & приповерхностного слоя, а это может сказаться на величине общей проводимости полупроводника в случае мелких кристаллов. [21]
Хвмосорбция, приводя к искривлению зон, может изменять & приповерхностного слоя, а это может сказаться на величине общей проводимости полупроводника в случае мелких кристаллов. [22]
То есть если имеет место искривление зон полупроводника у контакта, появляющееся при контакте магериалои с разной работой выхода. [23]
Внешнее поле и приводит к искривлению зон, которое упрощенно можно представить как их наклон. [24]
Внешнее поле и приводит к искривлению зон, которое упрощенно можно представить как их наклон. [25]
На рис. 3.35, а показано исходное искривление зон, противоположное тому, при котором образуется канал. [26]
Изменение электропроводности также является эффектом, обусловленным искривлением энергетичаоких зон в процессах адсорбции и катализа. [27]
Вторым эффектом, обусловленным изменением в искривлении зон, является изменение электропроводности ч - полупроводника. Действительно, концентрация свободных электронов в зоне проводимости ( мы обозначим эту концентрацию через п) и концентрация дырок в валентной зоне ( мы обозначим ее через р) определяются положением уровня Ферми в запрещенном участке между зонами. [28]
В зоне контакта происходит выравнивание уровней Ферми и искривление зоны проводимости и валентной зоны ( рис. III, 66) с одновременным появлением на границе контактирующих тел контактной разности потенциалов срк. [29]
 |
I. Энергетические уровни контактирующих тел. а - схема. б - контакт с металлом. в - контакт с окрашенным металлом. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5