Искривление - зона
Cтраница 3
В зоне контакта происходит выравнивание уровней Ферми и искривление зоны проводимости и валентной зоны ( рис. IV, 1 6) с одновременным появлением на границе контактирующих тел контактной разности потенциалов. При этом появляется дырочная проводимость у металла, он становится донором электронов, а полупроводник ( частицы) - акцептором. [31]
 |
Энергетические уровни контактирующих тел. [32] |
Можно предположить, что величина фк зависит от характера искривления зоны проводимости, что в свою очередь связано с толщиной слоя краски. [33]
 |
Зонные диаграммы невыпрямляющих контактов металла с полупроводником. [34] |
В обоих случаях контактные разности потенциалов приняты небольшими, поэтому искривления зон на рис. 2 - 17 сравнительно малы и уровень Ферми не пересекает разрешенные зоны в полупроводнике. [35]
 |
Виды поверхностных слоев в полупроводниках п - и р-типов.| Энергетическая диаграмма ( о и распределение зарядов ( б н поверхностном слое полупроводника при наличии поверхностных состояний. [36] |
При внешних воздействиях ( например, проникновении электрического поля) меняется искривление зон на поверхности и положение поверхностных уровней относительно уровня Ферми. [37]
И если это искривление зон велико ( V велико), то дополнительное искривление зон, обусловленное контактом полупроводника с металлом, может мало сказаться на свойствах этих контактов. Другими словами, свойства запирающих и анти-запирающих слоев будут мало зависеть от природы металла в том случае, когда в действительности они создаются поверхностными состояниями. Различают медленные и быстрые поверхностные состояния в зависимости от времени обмена носителями заряда между ними и объемом. Для медленных состояний времена установления равновесия имеют значение от десятых долей секунды до многих часов. Медленные состояния связаны с атомами или ионами, адсорбированными на слой окиси или какой-либо другой промежуточный слой полупроводника. Быстрые состояния локализованы на границе между объемом полупроводника и окисной пленкой. [38]
 |
Энергетическая диаграмма поверхностной области кристаллофосфора n - типа, обедненной электронами в результате адсорбции электроотрицательных молекул. [39] |
Величина d, определяющая расстояние от поверхности кристалла, на протяжении которого происходит искривление зон называется длиной экранирования. [40]
 |
Контактная разность потенциалов фч5 между металлами и кремнием. [41] |
Разумеется, этот вывод предполагает, что разность работ выхода является единственной причиной искривления зон. [42]
Вблизи реальной поверхности полупроводника за счет так называемых поверхностных состояний наблюдаются изменение энергетического состояния носителей и искривление зон даже в отсутствие внешнего поля. [43]
Вблизи реальной поверхности полупроводника за счет так - называемых поверхностных состояний наблюдаются изменение энергетического состояния носителей и искривление зон даже в отсутствие внешнего поля. [44]
Однако позже было высказано предположение [6, 7], что конденсаторная фотоэдс имеет природу вентильной эдс, а именно целиком связана с наличием граничного искривления зон и с биполярной фотопроводимостью. Отсюда был сделан вывод, что конденсаторный метод не может применяться для определения знака заряда носителей фототока в полупроводниках. Однако нам представляется, что оснований для таких заключений, по существу, не было. Анализ условий формирования спектра фотоэдс и в особенности подробное рассмотрение свойств конденсаторного фотоответа в области слабого поглощения, по нашему мнению, позволяют объяснить значительную часть результатов теорией, основанной лишь на явлении монополярной фотопроводимости. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5