Градиент - концентрация - электрон
Cтраница 1
Градиенты концентрации электронов и амплитуды имеют значительные величины в небольшом интервале. [1]
Сравним между собой градиенты концентрации электронов в р - - переходе и - области: в переходе на протяжении ( хп - J - хр) концентрация падает на несколько порядков, а в - области на протяжении гораздо большей длины Ln она падает только в е раз. Очевидно, что диффузионный ток электронов должен был бы в огромной степени возрастать при переходе от - области к р - - переходу, откуда следует, что в переходе существует почти ему равный и противоположно направленный полевой ток. В р - - переходе в отсутствие внешнего напряжения диффузионный и полевой токи полностью компенсируются, в то время как в р - - переходе, находящемся под напряжением, они почти компенсируют друг друга. Следовательно, если в первом случае распределение концентрации электронов в точности следует закону Больцмана, то во втором случае больцмановское распределение соблюдается приближенно, но с большой точностью. [2]
На границе областей возникают градиенты концентраций электронов и дырок. Вследствие того, что концентрация электронов в - области выше, чем в - области, возникает диффузионный ток электронов из / - области в - область. А из-за того, что концентрация дырок в р-области выше, чем в - области, возникает диффузионный ток дырок из - области в и-область. В результате диффузии основных носителей заряда в граничном слое происходит рекомбинация. Приграничная р-область приобретает нескомпенсированный отрицательный заряд, обусловленный отрицательными ионами. Приграничная и-область приобретает нескомпенсированный положительный заряд, обусловленный положительными ионами. [3]
Вследствие наличия на границе градиента концентрации электронов, направленного из р-области в - область, и градиента дырок, направленного из - области в р-об-ласть, происходит диффузия основных носителей через пограничный слой. В результате этого процесса происходит усиленная рекомбинация электронов и дырок, пограничный слой оказывается обедненным носителями тока и имеет сопротивление значительно большее, чем сопротивление остальной части системы. Он называется запирающим слоем. [4]
Между поверхностью и основным объемом возникнут градиенты концентрации электронов и дырок и избыточные носители начнут диффундировать в глубь полупроводника. Такое совместное движение обоих типов носителей называют биполярной диффузией. [5]
Между селеном и слоем селенида создается градиент концентрации электронов, имеющий важное значение для возникновения электродвижущей силы при освещении. Слой селенида снабжен прозрачным контактным электродом, электрическая проводимость которого должна быть возможно большей. Он может состоять из тонкого слоя Аи или Pt, полученного испарением в вакууме. В последнее время вместо металлических электродов с успехом применяются контактные электроды из окиси кадмия [21], которые при той же прозрачности обладают более высокой электрической проводимостью. При этом чувствительность фотоэлемента к видимому свету увеличивается, а в ультрафиолетовой части спектра уменьшается в результате поглощения, так что спектральное распределение чувствительности приближается к таковому для человеческого глаза. [6]
Ток, протекающий через диод, пропорционален градиенту концентрации электронов в сечении хр. В момент времени / 8 градиент концентрации равен нулю, следовательно, и ток равен нулю. В моменты времени tg и t 0 градиент концентрации меняет знак и ток через диод также изменяет направление. [7]
При этом приложенное поле должно быть направлено перпендикулярно градиентам концентрации электронов и полю пространственного заряда. [8]
Мы видим, что напряженность поля Е определяется градиентами концентрации электронов и дырок и проводимостью. Для того чтобы поле Е было максимальным, необходимо, чтобы проводимость была минимальной, а градиенты концентрации электронов и дырок были противоположны по направлению. [9]
Мы видим, что напряженность поля Е ( определяется градиентами концентрации электронов и дырок и проводимостью. Для того чтобы поле Е было максимальным, необходимо, чтобы проводимость была минимальной, а градиенты концентрации электронов и дырок были противоположны по направлению. [10]
Использование ионных проводников в качестве блокирующих электродов [39] приводило к возникновению градиента концентрации электронов в слое ft - Ag2S, и в стационарном состоянии диффузия электронов компенсировала электронный ток проводимости. [11]
Знак минус перед правой частью выражения (II.8) показывает, что поле Е направлено навстречу градиенту концентрации электронов dn / dx ( ср. [12]
Чем выше частота, тем круче проходят графики п ( х), тем больше градиент концентрации электронов в сечении Хр, следовательно, тем больше ток диффузии. [14]
При высоком уровне инжекции, когда концентрация инжектированных дырок значительно превышает концентрацию равновесных электронов, для поддержания градиента концентрации электронов необходимо значительное электрическое поле. В этом случае перенос тока имеет как диффузионную, так и дрейфовую природу. При этом возрастает диффузионная составляющая / пдиф, обусловленная возрастанием градиента электронов и компенсирующая дрейфовую составляющую / Пдр. Возникшее электрическое поле оказывает влияние на ток неосновных носителей, ускоряя их движение. [15]
Страницы: 1 2 3