Градиент - концентрация - электрон
Cтраница 2
А это означает, что в проводнике возникает электрическое поле, напряженность которого совпадает по направлению с градиентом концентрации электронов. Отсюда в соответствии с механизмом возникновения эффекта Пель-тье заключаем, что при прохождении тока в направлении градиента температур происходит охлаждение проводника, а при противоположно направленном токе - нагревание. [16]
Направление поля Ех противоположно направлению оси х, а значение тем больше, чем больше ток эмиттера, пропорциональный градиенту концентрации электронов. Однако при высоких уровнях инжекции, когда пЛ Б, поле при увеличении тока стремится к насыщению. [17]
Таким образом, если постоянная составляющая пространственного заряда, градиенты плотностей рассеивающих частиц и проекция вектора постоянного электрического поля на градиент концентрации электронов Vr / равны нулю, мы получаем относительно простое уравнение ( 3.88 г), состоящее из трех членов. Первый член, V JJ, описывает процессы диффузии, второй, ( 1 / Зи2) д [ ] / dv, - нагревание электрическим полем, упругие и квазиупругие столкновения, и, наконец, третий, ( S - Т7), учитывает существенно неупругие процессы. [18]
Здесь Dn - коэффициент диффузии электронов, равный 93 см2 / с для германия и 31 сма / с для кремния; dn / dx - градиент концентрации электронов. [19]
Плотность электронного диффузионного тока пропорциональна градиенту концентрации: jno qDn ( dn / dx), где Dn - коэффициент диффузии электронов; dn / dx - градиент концентрации электронов. [20]
Отражения не будут сказываться до тех пор, пока плазма является разреженной средой и переход от свободного пространства к плазме не слишком резок. Градиент концентрации электронов, существующий на границе любой плазмы, способствует плавности такого перехода. [22]
Как видно из рис. 98, активная область гомолазера неоднородна. Она характеризуется градиентами концентраций электронов и дырок и зависимостью коэффициента усиления от координат. В гетеролазерах активный слой более однороден. [24]
 |
Разделение неравновесных носителей заряда. [25] |
Кроме составляющей фото - ЭДС, которая возникает из-за разделения носителей заряда электрическим полем р-п-перехода или другого потенциального барьера и которая является основной в фотоэлементах, могут быть и другие составляющие. При освещении полупроводника появляется градиент концентрации электронов и дырок, которые диффундируют от освещаемой поверхности в глубь полупроводника. Но коэффициенты диффу - ЗИИ электронов и дырок различны. Кроме того, при наличии на освещаемой поверхности полупроводника ловушек захвата носителей одного знака возникает третья составляющая фото - ЭДС в результате диффузии в глубь полупроводника носителей заряда другого знака. [26]
 |
Разделение неравновесных носителей заряда на потенциальном барьере р-п-перехо-да при поглощении квантов света. [27] |
Кроме составляющей фото - ЭДС, которая возникает из-за разделения носителей заряда электрическим полем р-и-перехода или другого потенциального барьера и которая является оенов-ной в фотоэлементах, могут быть и другие составляющие. При освещении полупроводника появляется градиент концентрации электронов и дырок, которые диффундируют от освещаемой поверхности в глубь полупроводника. Но коэффициенты диффузии электронов и дырок различны. Кроме того, при наличии на освещаемой поверхности полупроводника ловушек захвата носителей одного знака возникает третья составляющая фото - ЭДС в результате диффузии в глубь полупроводника носителей заряда другого знака. [28]
Поскольку Agl является ионным проводником, не проводящим электроны, то поглощение электронов будет происходить вблизи границы Ag2S - Agl точно так же, как и выделение серебра в предыдущем случае. Это приводит к возникновению градиента концентрации электронов, направленного слева направо. [29]
Тогда в тонком приповерхностном слое, в который проникает свет, будут генерироваться электронно-дырочные пары со скоростью Ag, пар / см3 - сек. Между поверхностью и основным объемом возникнут градиенты концентрации электронов и дырок и избыточные носители начнут диффундировать в глубь полупроводника. Такое совместное движение обоих типов носителей называют биполярной диффузией. [30]
Страницы: 1 2 3